這種Arduino Nano防護罩由光傳感器、磁場傳感器和溫度傳感器組成。該屏蔽可用于開發各種需要的光傳感、磁場傳感和溫度傳感的工程。所有傳感器都提供模擬電壓輸出，因此每個輸出都連接到Arduino Nano的模擬輸入。

• OPT101增益可調的高靈敏度光傳感器（模擬輸出）

• DRV5053磁場傳感器（模擬輸出）

• LM35溫度傳感器（模擬輸出）

• OPT101光傳感器輸出連接到Arduino Nano的模擬引腳

• 磁場傳感器輸出連接到Arduino Nano的模擬引腳

• LM35傳感器輸出連接到Arduino Nano的模擬引腳

• OPT101提供7.5mV到4V（最小暗輸出7.5V）

• DRV5053磁場傳感器輸出0-1.8V

• LM35溫度傳感器線性10 mV/°C標度因數

電源：所有傳感器連接到Arduino Nano的5V

OPT101是一個單片光電二極管放大器。光電二極管和跨導放大器集成在一個芯片上，消除了離散設計中常見的問題，如漏電流誤差、噪聲拾取和雜散電容引起的增益峰值。輸出電壓隨光強線性增加。功率放大器采用單電源供電。2.29mm X 2.29 mm光電二極管以光電導模式工作，具有良好的線性度和較低的暗電流。

OPT101是一種大面積光電二極管，集成了優化的運算放大器，使OPT101成為一種小型、易于使用、光電壓轉換的器件。光電二極管具有非常大的測量面積，可以收集大量的光，因此可以進行高靈敏度的測量。該光電二極管具有寬的光譜響應，在紅外光譜中有一個最大的峰值，可用范圍從300 nm到1100 nm。從所有模擬電路到數據轉換基礎電路。芯片上的電壓源保持放大器在良好的工作區域，即使在低光照水平。OPT101電壓輸出是光電二極管電流乘以反饋電阻（IDRF）加上為單電源操作引入的約7.5 mV的基座電壓VB的乘積。輸出為7.5 mV直流無光，并隨著照明度的增加而增加。光電二極管電流ID與照射在光電二極管上的輻射功率或通量（以瓦特為單位）成正比。在波長為650 nm（可見紅色）時，光電二極管的響應RI約為0.45 a/W。其他波長的響應響應如圖1所示。內部反饋

激光電阻為1 MΩ。使用該電阻，在650nm波長處，輸出電壓RV約為0.45v/μW。

圖2顯示了以微瓦為單位的輻射功率范圍內的響應。圖3以瓦特/平方米為單位顯示了整個輻照度范圍內的響應。8.3.1暗性能電氣特性表中的暗誤差包括所有來源。暗輸出電壓的主要來源是施加在運算放大器的非逆變輸入端的基座電壓。此電壓被引入

在沒有光線照射到光電二極管的情況下提供線性操作。光電二極管的暗電流約為2.5pa，在室溫下幾乎沒有偏移誤差。運算放大器求和結（負輸入）的偏置電流約為165帕。暗電流從放大器偏置電流中減去，這些剩余電流流過反饋電阻器，產生偏移。溫度對這種差電流的影響如圖10所示。圖17所示的可選電路將暗輸出電壓調整為零。使用低阻抗偏置驅動器（運算放大器）驅動引腳8（公共），因為這個節點有信號相關的電流。

為了響應地設置不同的電壓，連接一個外部電阻器REXT。為了提高響應度，將該電阻器與內部1-MΩ電阻器串聯（圖18），或通過不連接針腳4（圖19）將內部電阻器更換為外部電阻器。當使用小于1 MΩ的外部電阻器時，第二種配置還將電路增益降低到106 V/A以下。顯示了OPT101的基本電路連接，使用單電源運行，并使用內部1-MΩ反饋電阻，在650 nm下響應0.45 V/μW。針3（–V）在此配置中連接到公共線。高阻抗電源的應用可能要求去耦電容器靠近器件引腳，如圖所示。

DRV5053器件是一種斬波穩定霍爾集成電路，它提供了一種在溫度下具有卓越靈敏度穩定性的磁感應解決方案，并集成了保護功能。0-2-V模擬輸出與外加磁通密度線性響應，并區分磁場方向的極性。內部保護功能用于反向供電條件、負載卸載和輸出短路或過電流。

DRV5053裝置是一種斬波穩定霍爾傳感器，具有用于磁感應應用的模擬輸出。請注意，當向VCC（相對于GND）施加約-22至2.4 V電壓時，DRV5053設備將不工作。此外，該設備可以承受高達40V的電源電壓的瞬態持續時間。輸出電壓取決于垂直于封裝的磁場。沒有磁場將導致OUT=1 V。磁場將導致輸出電壓隨磁場線性變化

字段。磁場極性定義如下：靠近包裝標記側的南極為正磁場。靠近包裹標記側的北極是一個負磁場。對于負靈敏度的器件（即DRV5053RA：–40 mV/mT），南極將導致輸出電壓降至1 V以下，而北極將導致輸出電壓升至1 V以上。對于具有正靈敏度的設備（即DRV5053EA:40 mV/mT），南極將導致輸出電壓升高到1 V以上，北極將導致輸出電壓降到1V以下。

LM35系列是精密集成電路溫度器件，其輸出電壓與攝氏溫度成線性比例。與以開爾文（Kelvin）校準的線性溫度傳感器相比，LM35器件具有優勢，因為用戶不需要從輸出中減去很大的恒定電壓來獲得方便的攝氏度刻度。LM35設備不需要任何外部校準或微調，以在室溫下提供±?°C和?55°C至150°C溫度范圍內提供±?°C的典型精度。通過在晶圓級進行微調和校準，可以確保較低的成本。線性讀出電路和線性輸出接口使輸出更容易精確。該設備與單電源或正負電源一起使用。由于LM35設備僅從電源中吸取60μA的熱量，因此在靜止空氣中的自加熱能力非常低，低于0.1°C。LM35設備的額定工作溫度范圍為?55°C至150°C，而LM35C設備的額定溫度范圍為?40°C至110°C（?10°且精度提高）。LM35系列器件封裝在密封到晶體管封裝中，而LM35C、LM35CA和LM35D器件可采用塑料TO-92晶體管封裝。LM35D設備有8引線表面安裝小外形封裝和塑料TO-220封裝。

• 直接以攝氏度校準

• 線性10 mV/°C標度因數

• 5°C保證精度（25°C時）

• 額定溫度范圍為-55°C至150°C

• 適用于遠程應用

• 晶圓級微調成本低

• 工作電壓從4伏到30伏

• 小于60-μA的電流消耗

• 低自加熱，靜止空氣中0.08°C

• 典型非線性度為±?°C

• 低阻抗輸出，1-mA負載為0.1Ω