在知道大功率器件之前，我們要先知道功率器件是什么意思，功率器件是電子元件和電子器件的總稱，是電子裝置中，電能轉換與電路控制的核心，它利用半導體單向導電的特性改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉換等的功能。

而大功率器件一般是指電壓等級在1200V以上，電流在300A以上，輸出功率比較大的電子元器件。典型的大功率器件包括大功率二極管、晶閘管SCR、雙極型功率晶體管IGBT、功率晶體管GTR、IGCT、GTO、ETO、SIT等，900V以上的mosfet也可稱為大功率器件，但是要看相應的電流等級。

IGCT是將GTO芯片與反并聯二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩定關斷能力和晶閘管低通態損耗的優點。在導通階段發揮晶閘管的性能，關斷階段呈現晶體管的特性。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器功率0．5～3MW，三電平逆變器1～6MW；若反向二極管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器功率可擴至4／5MW，三電平擴至9MW。

1. 按照導通、關斷的受控情況可分為不可控、半控和全控型功率器件，全控型如IGBT、IGCT、ETO等，就是通過門極可以控制器件的開通與關斷，半控型器件的代表就是晶閘管，只能控制開通，而不能控制關斷；

2. 按照載流子導電情況可分為雙極型、單極型和復合型功率器件；

3. 按照控制信號情況，可以分為電流驅動型和電壓驅動型功率器件。

1、器件能夠快速恢復，以滿足越來越高的速度需要。

2、通態壓降降低。

3、電流控制能力增大。

4、額定電壓耐壓高。

5、溫度與功耗。

隨著技術的不斷進步，功率半導體器件在不斷演進。自上世紀80年代起，功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。隨著科技的發展，今后對于半導體的產品應用還會產生哪些變化，或者是衍生出哪些新型的元器件都未可知，值得期待。