俄羅斯大煉自主「熊芯」！斥資3萬億盧布，8年實現28nm量產
加入技術交流群
來源：新智元
編輯：袁榭 好困
【導讀】在芯片即將斷供的眼下，俄羅斯官方開始上馬各種生產國產替代品的急就章計劃與項目。
臺積電：預計在2026年實現2nm量產。 俄羅斯：爭取在2022年搞出90nm。
斥資近2500億人民幣，8年實現28nm
在設備與資金輸入被大部切斷、自身的經濟技術實況也越發露底的當下，俄羅斯官方在計劃上馬新的國產替代來源項目。 最近，俄羅斯貿易和工業部的22個工作組共同參與起草了一份，目標雄心勃勃，但資金十分有限的半導體發展計劃。該文件將于2022年4月22日送交俄羅斯總理審查和批準。 根據擬定的初步方案，政府預計會投入共計3.19萬億盧布（約2443億人民幣）來發展國產半導體的生產技術、芯片開發、數據中心基礎設施、培養人才，以及解決方案的營銷。 其中最為矚目的就是，2022年底實現90nm（英特爾2003年水準）的國產化，并在8年后的2030年建立起28nm（臺積電2011年水準）的生產線。
想搞國產光刻機，但只有5千萬人民幣
2022年3月底，俄國本地信源宣布：貿易與工業部撥款6.7億盧布（約5100萬人民幣），讓莫斯科國立電子技術學院（MIET）進行X射線光刻機的相關研究，以期盡早開發出基于X射線同步輻射和/或等離子電漿技術的無掩膜光刻機。 作為光刻機領域的老大，ASML去年在研發中的投入為25億歐元（約172億人民幣）。 其光刻機所用的極紫外光（EUV）波長為13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進工藝。 而俄羅斯計劃開發的光刻機，使用的則是X射線技術，其波長介于0.01nm到10nm之間，不需要光掩模就能生產芯片。
雖說光刻機的架構及技術很復雜，不過決定分辨率的主要因素就是三點，分別是常數K、光源波長及物鏡的數值孔徑。也就是說波長越短，分辨率就越高。 所以理論上，X射線光刻機在分辨率上是具有極大優勢的。 俄羅斯的無掩膜X射線納米光刻MOEMS（微光機電系統）將在兩個主要領域進行開發：X射線反射率的控制和X射線透射率的控制。
俄羅斯的半導體之路，道阻且長
從過往經驗來看，俄羅斯在數碼產業的強處是軟件產品與相關技術服務，做芯片和數碼硬件一直是短板。 對于整個計劃來說，不僅在操作上難度頗大，而且并不是所有人都對自主可控這件「費力不討好」的事情感興趣。
雖說28nm到時候已經變為一項擁有20年歷史的古老技術了，即便如此，但是建立一個能夠生產芯片的工廠本身，就十分具有挑戰了。 此外，在人才培養方面，一般來說每個硬件研發/設計中心至少需要有100名專門的專業人員，這將轉化為3-5萬人的技術人力缺口。 考慮到一個專門的技術專家的培訓周期至少是8或9年，這5萬人現在必須已經在俄羅斯本國的高等教育機構就讀。 一位不愿透露姓名的大型IT公司的員工告訴《生意人報》，雖然該項目確實有及時和合理的措施，但它主要由脫離現實的建議組成。 俄國本國的高科技產品工具、資源和技術企業Basis的負責人Arseny Brykin認為，必須從國外買到相應的設備，才能在8年內實現生產。否則就必須要消耗巨大的資金去補全一個完整的技術路徑，包括生產新材料，在工程、光學等方面。 看來，即便是在如此嚴峻制裁下，也依然無法打消那些「造不如買」的想法。
參考資料：
https://www.tomshardware.com/news/russia-semiconductor-plan-28nm
https://www.cnews.ru/news/top/2022-04-15_u_vlastej_novyj_plan_po_razvitiyu
https://www.tomshardware.com/news/russia-invests-in-home-grown-x-ray-lithography-tech
https://www.tomshardware.com/news/tsmc-2nm-chips-to-be-available-in-2026
*博客內容為網友個人發布，僅代表博主個人觀點，如有侵權請聯系工作人員刪除。
