日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出適于IrDA?應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外（IR）收發器模塊，鏈路距離延長20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數據速率（SIR），鏈路距離為1米，適用于能量表和監控器、工業自動化控制、手機和醫療設備無線通信和數據傳輸。為提高便攜式設備電池使用壽命，模塊降低了功耗，閑置供電電流 < 70 μA，關斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
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Vishay 紅外收發器模塊 抗ESD
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，可提高汽車和工業應用有源充放電電路的性能。日前發布的器件R25阻值為60 W至1 kW，500 W 最大額定直流電壓高達1000 VDC，1 kW 達1200 VDC，最大能量吸收能力達240 J，比競品器件高四倍。多個熱敏電阻并聯，能量吸收
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Vishay 浪涌限流 PTC熱敏電阻 有源充放電
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造，為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。日前發布的半橋器件使用節
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Vishay INT-A-PAK IGBT功率模塊
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導
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Vishay 源極倒裝技術 PowerPAK 功率MOSFET
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月1日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款全新可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管--- VEMD2704，擴充光電二極管產品組合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm頂視表面貼裝封裝，透明環氧樹脂感光度達業內先進水平，快速開關時間為70 ns，容值低至17.6 pF，適于可穿戴
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Vishay 可見光敏感度增強型 PIN光電二極管
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年1月25日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其光電子產品部推出全集成新型接近傳感器---VCNL36828P，提高消費類電子應用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面發射激光器（VCSEL），在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面貼裝封裝中集成光電二極管、專用集成電路（ASIC）、16位 ADC和智
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Vishay 接近傳感器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V，采用集電極開路輸出，適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統。日前發布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay 低功耗光耦
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦，有助于工業應用節能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V，采用集電極開路輸出，適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統。日前發布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
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Vishay 10MBd 低功耗光耦
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其經過AEC-Q200認證的IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執行器獲得2023年度AspenCore全球電子成就獎（World Electronics Achievement Award）“年度高性能被動電子/分立器件獎”。該器件適用于LCD顯示屏、觸摸屏和觸摸開關面板等各種12 V車載應用。器件采用小型兩件式結構，帶安裝孔，便于安裝和直接操作，具有高沖擊脈沖和振動傳遞能力，可在嘈雜的環境下提供清晰的觸覺反饋。由電子技術領域
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Vishay 觸控反饋執行器
11月8日，美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體（Nexperia）宣布，雙方已經達成協議，Vishay將以1.77億美元現金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關業務。紐波特晶圓廠交易需接受英國政府審查，并符合第三方購買權和慣例成交條件，預計將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠是一家200mm半導體晶圓廠，經過汽車認證，主要供應汽車市場。占地28英畝，是英國規模最大的半導體制造廠。Vishay總裁兼首席執行官Joel Smejkal表示
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Vishay 安世半導體 晶圓廠
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Vishay聯手推出全新電子書《The Next Generation of Industry 4.0》（新一代工業4.0），分析了支持新一代工業4.0解決方案的技術和元件。書中，Vishay和貿澤深入探討了為全球工廠帶來變革的自動化浪潮，以及這種浪潮背后起到支持作用的關鍵解決方案。本電子書收錄了四篇詳細的專題文章，介紹了支持新一代工業應用的數字元件，此外還包含一張展望未來工業5.0的實用信息圖。
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貿澤 Vishay 工業4.0
與任何電子設備一樣，引爆系統需要內部電源為系統控制器 (MCU) 供電并為點火電容充電。為了確保正確定時、可靠引爆，需要使用電容器作引爆元件的儲能器件。與其他電容技術相比，模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲存電荷（低漏電流)，能量密度高，是電子引爆系統的理想選擇，可留出更多時間，釋放更大電壓確保正確起爆。對于開發和制造電子引爆系統以滿足采礦應用需求的公司，本文將為大家介紹鉭電容器技術的優勢。對于現代引爆系統來說，模塑鉭 (MnO2) 電容器具有兩個主要優點。首先，與鋁電解電容器不同，它們具有這些小型系統所
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Vishay 鉭電容器
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優缺點。寬帶隙半導體器件的優勢設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵 (G
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Vishay 功率逆變器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK? 同步降壓穩壓器---SiC967、SiC931和SiC951，用來提高負載點（POL）轉換器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封裝，占位面積和高度均小于市場上此類器件，輸入電壓范圍4.5 V至60 V。日前發布的穩壓器模塊比其他解決方案小69%，每款模塊集成兩個高性
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Vishay 降壓穩壓器 POL轉換器
vishay介紹
威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創新和不斷的并購, 迅速發展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業、計算機 [
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