日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護陣列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內可提供3路USB ESD保護，在12V工作電壓范圍內提供1路VBUS保護。
VBUS053BZ-HNH-G-08采用無鉛的LLP1713-9M,封裝，具有0.6mm的超低外形，可在高速數據應用中減少有源ESD保護所需的電路板
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Vishay ESD USB-OTG
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉換器解決方案，具有先進的控制器IC和柵極驅動器、兩個針對PWM控制優化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩壓器配置中的自啟動開關，采用節省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。
microBUCK系列的產品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設計、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封裝
日前，Vishay宣布，為幫助客戶了解在應用中使用環境光傳感器的益處，Vishay公司將在官方網站上發布其光電產品組的視頻產品演示。
Vishay的環境光傳感器采用獨家的紅外濾波環氧樹脂技術，能夠使感光光譜匹配人眼的敏感度特性，而對非可見光的敏感度則很小。這種特性可避免自然光、白熾燈和鹵素燈泡等人工照明中紅外成分對傳感器的干擾。這段5分鐘的新視頻演示了亮度測試，顯示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上優于競爭產品和標準的硅光敏晶體管。
這段演示表明，在不同的光源下，其他技術
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Vishay 傳感器 TEMT6200FX01
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內，該器件集成了對PWM信號優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅動IC，以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規定的服務器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統中電壓調節器(VR)標準。該器件的工作頻率超過1MHz，效率高達92%。
SiC7
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Vishay 驅動IC PowerPAK SiC762CD
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出6款單芯片和雙芯片80-V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些整流器采用4種功率封裝，具有10A～30A的電流額定范圍。
今天發布的器件包括單芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及雙芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay 整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用兩種分裝版本的新款表面貼裝白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。為了與類似器件保持大范圍的引腳兼容，VLMW321xx LED提供了3個陽極和1個陰極，VLMW322xx LED提供了3個陰極和1個陽極。
今天發布的這些器件采用PLCC-4封裝，優化的引線框使熱阻降低至300K/W，功率耗散高達200mW，從而使器件能夠使用高達50mA的驅動電流，使亮度
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Vishay 器件 LED照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出內置熔絲的新系列TANTAMOUNT®低ESR固鉭貼片電容器 --- TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸，可在以安全為首要考慮的應用中為短路故障提供非常高級別的保護。
TF3系列器件具有一個內部的電子式熔斷裝置，在+25℃、最小5A電流條件下，熔斷裝置可以0.1秒的時間內起作用。在因電流過大引發故障的情況下，可以防止對電路元器件造成損傷。
這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25&
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Vishay 貼片電容器 TF3 TANTAMOUNT
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經過激光微調后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重復性和穩定的性能。
由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實現了穩定的薄膜，在+70℃下經過10,000小時后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動力/電控
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Vishay ESD 薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
101/102 PHR-ST 器件現在共有從35mmx 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸，圓柱形的鋁外殼與圓盤里的藍色套筒和減壓裝置保持絕緣。新的外形尺寸使器件實現了從1F、25V至10,000F、45
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Vishay 電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。
今天發布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。
由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優異的雪崩容量
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Vishay 整流器 TMBS
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網站上新增了低尺寸、大電流IHLP電感器的視頻產品演示，幫助客戶了解在應用中使用這種電感器的好處。
視頻演示顯示，當電流增大時，采用其他技術的電感器會硬飽和，導致感值急劇下降至幾乎為零。IHLP器件能夠軟飽和，使得感值能夠緩慢地滾降。
Vishay的IHLP電感器可處理高瞬態電流尖峰，而不會出現硬飽和。這段4分鐘的視頻介紹了飽和電流性能測試，充分顯示了IHLP器件在5A和25A的額定電流下的出色性能。
為盡可能
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Vishay 電感器 IHLP
日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態電壓信號的損害。
VBUS05L1-DD1-G-08的占位僅有0.6mm x 1.0mm，封裝的厚度小于0.4mm，因此在便攜式游戲機、數碼相機、MP3播放器和手機等設備中進行有源ESD保護時，只需要很小的電路板空間。
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Vishay 二極管 ESD保護
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的行業基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(未受潮)的工廠壽命穩定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
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Vishay 箔電阻 Bulk Metal
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業內P溝道器件最低的導通電阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝，將業內
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Vishay MOSFET TrenchFET
vishay介紹
威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創新和不斷的并購, 迅速發展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業、計算機 [
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