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Vishay榮獲《電子產(chǎn)品世界》2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產(chǎn)品世界》雜志的2013年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)?！ 峨娮赢a(chǎn)品世界》年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選已經(jīng)舉行了11年，面向全球的電源供應(yīng)商征集參選產(chǎn)品。五個(gè)門類的最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品是通過(guò)在線投票，以及《電子產(chǎn)品世界》的編輯、專家和工程師的嚴(yán)格評(píng)審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計(jì)算設(shè)備中顯著提高效率
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Vishay的新款高可靠性柵極電阻具有6.5kW的高功率和+400℃工作溫度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新系列高功率、大電流柵極電阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作溫度，以及穩(wěn)健的設(shè)計(jì)，可直接替換競(jìng)爭(zhēng)的解決方案。 2014年5月15日發(fā)布的柵極電阻在+40℃下的功率為1kW～6.5kW，適用于機(jī)車、諧波濾波器、可再生能源以及工業(yè)系統(tǒng)里的電容器預(yù)充電和放電、電阻制動(dòng)、負(fù)載測(cè)試、加熱器和中性點(diǎn)接地應(yīng)用。器件的電阻值為0.1&Om
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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70封裝的150V N溝道MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強(qiáng)型SC-70? 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，可通過(guò)減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，在各種空間受限的應(yīng)用中提高效率。 SiA446DJ適用于隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器里的初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)、LED背光里的升壓轉(zhuǎn)換器，以及以太網(wǎng)供電 (PoE
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Vishay發(fā)布新款高可靠性通用扁繞功率電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款通用扁繞功率電阻---EDGU。通用的貼裝EDGU電阻可方便地直接替換競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品，兼具高可靠性設(shè)計(jì)和在85A電流下連續(xù)工作的能力，可承受5秒鐘的相當(dāng)于10倍額定功率的短時(shí)過(guò)載。 Vishay Milwaukee EDGU采用卷在邊緣的電阻合金帶狀導(dǎo)線，導(dǎo)線被撐在專門設(shè)計(jì)的瓷質(zhì)絕緣子上，絕緣子具有適當(dāng)?shù)脑训皆验g距和保持到支撐桿的絕緣。器件的開(kāi)放式線圈結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)高效散熱，能承受過(guò)載和浪涌。E
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Vishay Hi-Rel固鉭電容器為軍工和航天提供內(nèi)置熔絲
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出用于軍工和航天應(yīng)用的TANTAMOUNT?表面貼裝固鉭模塑片式電容器的新Hi-Rel系列產(chǎn)品---T42。Vishay Sprague T42系列提供符合MIL-PRF-55365要求的高可靠性和浪涌電流測(cè)試選項(xiàng)，內(nèi)置熔絲可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)防故障操作，兼具高容量和高電壓，在+25℃和100kHz條件下ESR低至80mΩ。 T42產(chǎn)品數(shù)據(jù)表鏈接地址：http://datasheet.e
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Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。 2014年4月29日發(fā)布的Vishay Siliconix這款-30
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Vishay車用級(jí)電感器可在+180℃高溫下連續(xù)工作
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出可在+180℃高溫下連續(xù)工作的新款車用級(jí)IHLP?低外形、大電流電感器---IHLP-2525CZ-8A。新的Vishay?Dale?IHLP-2525CZ-8A的外形尺寸為2525，高度低至3.0mm，感值范圍從0.47μH到22μH。 今天推出的器件通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，頻率高達(dá)1MHz，可在高溫汽車應(yīng)用里當(dāng)作電壓穩(wěn)壓模塊(VRM)和DC/DC轉(zhuǎn)換器的高效能、節(jié)省空間和能源解決方案
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Vishay發(fā)布醫(yī)療電子和高端音響用繞線電阻
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出可用于醫(yī)療成像設(shè)備和高端音響的新系列無(wú)磁、無(wú)感軸向引線的繞線電阻---MRA系列，電阻的功率等級(jí)高達(dá)12W，可在+350℃高溫下工作。 Vishay?Mills?MRA系列器件來(lái)自Vishay?Dale電阻事業(yè)部，采用無(wú)感和全焊接結(jié)構(gòu)，適用于射頻和運(yùn)算放大器應(yīng)用，能夠大大增強(qiáng)頻率響應(yīng)。結(jié)合無(wú)感的Ayrton-Perry線圈，器件幾乎沒(méi)有感抗和信號(hào)損失?！ ‰娮柙?5℃下的功率等級(jí)
- 關(guān)鍵字： Vishay 醫(yī)療電子 MRA 放大器
Vishay推出對(duì)環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.日前宣布，發(fā)布用于DC-link應(yīng)用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范圍、小尺寸占位，電壓等級(jí)從500V到1200V?！ {借單位體積的高容量和在+70℃、標(biāo)稱直流電壓下超過(guò)10萬(wàn)小時(shí)的長(zhǎng)壽命，經(jīng)濟(jì)實(shí)用的MKP1848C非常適合可再生能源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源等工業(yè)電源應(yīng)用?！ C-link電容器的ESR低至1.5mΩ，每毫米引線間隔的自感小于1nH，可承受高
- 關(guān)鍵字： Vishay 電容器 MKP1848C
Vishay新款精密薄膜片式電阻功率等級(jí)達(dá)2W
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功率等級(jí)提到2W。Vishay?Dale薄膜器件采用自鈍化的耐潮鉭氮化物電阻膜技術(shù)，具有高功率等級(jí)和低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR，在-55℃～+125℃寬溫條件下，經(jīng)過(guò)激光微調(diào)的公差低至±0.1%?！ TN電阻的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮水平超過(guò)MIL-PRF-55342的極限，使這款器件非常適合軍工、航天、電信和工業(yè)應(yīng)用的低噪聲、高精度控制系
- 關(guān)鍵字： Vishay TCR PTN
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長(zhǎng)隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境?！ 〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
- 關(guān)鍵字： Vishay IGBT MOSFET VOW3120
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