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soi jx-f355p 文章 進入soi jx-f355p技術社區

基于SOI和體硅的FinFET對比研究

  • 隨著半導體產業向22納米技術節點外觀的發展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結構的過渡。相對于平面晶體管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，FinFET的柵極環繞溝道，從雙向提供靜電控制。
  • 關鍵字： SOI  體硅  FinFET  

Power Integrations發布超薄表面貼裝型封裝電源IC

  • ???????用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布其行業領先的TOPSwitch-JX電源轉換IC系列新增了創新的eSOP?超薄功率封裝形式。這款全新的超薄表面貼裝型封裝非常適合最大功率在65 W以下、不使用散熱片的緊湊敞開式設計，如超薄LCD電視輔助電源、機頂盒、PC待機和DVD播放器等產品的電源。
  • 關鍵字： Power Integrations  TOPSwitch-JX  eSOP  PCB  

使用TOPSwitch-JX器件設計的待機電源參考設計

  • 用于高能效電源轉換的高壓集成電路的PowerIntegrations公司（納斯達克股票代號：POWI），今日宣布推出使用其新近發...
  • 關鍵字： TOPSwitch-JX  待機電源  參考設計  

PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉換IC

  • 　　PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產品系列共由16款高度集成的功率轉換IC組成，其內部均集成有一個725 V功率MOSFET，適用于設計反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個負載范圍內的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時降低系統散熱管理的復雜性及費用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機模式下對系統的供電量，這一點特別適用于受到能效標準和規范約束的產品應用。 　
  • 關鍵字： PI  功率轉換IC  TOPSwitch-JX  MOSFET  

ARM發布45納米SOI測試結果，最高節能40%

  • 　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統體效應工藝的可行技術。 　
  • 關鍵字： ARM  45納米  SOI  

ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%

  • 　　據ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結果在近期的IEEE SOI Conference上發表。
  • 關鍵字： ARM  45nm  SOI  測試芯片  

GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數

  • 　　在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經達到兩位數水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設備。 　　據稱目前Intel 32nm Bulk制程技術的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經進入正式量產階段，在32nm制程方面他們顯然又領先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
  • 關鍵字： GlobalFoundries  32nm  SOI  

Soitec第一季度銷售額環比增長22.3%

  • 　　法國SOI技術公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷售額為4390萬歐元(約合6190萬美元)，環比增長22.3%，同比減少27.2%。 　　6月，Soitec在收到了主要客戶的急單之后，大幅上調了第一財季的預期，預測第一季度銷售額環比增長20%。 　　第一季度，Soitec稱晶圓銷售收入為4110萬歐元(約合5790萬美元)，環比增長30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環比增長35%。
  • 關鍵字： SOI  晶圓  

Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路

  • 　　Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業務、設計服務團隊之后，這次延攬建廠、廠務人才并將目標鎖定半導體設備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設備龍頭應用材料(Applied Materials)服務事業群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設備系統與IBM技術平臺。 　　Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
  • 關鍵字： GlobalFoundries  晶圓  半導體設備  SOI  

Global Foundries志在英特爾　臺廠不是主要對手

  • 　　Global Foundries制造系統與技術副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術，未來將持續延攬來自各界半導體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數轉進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。 　　競爭對手臺積電45/40
  • 關鍵字： GlobalFoundries  40納米  晶圓代工  SOI  

英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

  • 　　新聞事件： 　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響： 　　將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業應用等前景好的市場 　　LS預計于2010年1月在天安市的生產基地開始量產CIPOS模塊 　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發、生產與行銷。 　　合
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  CIPOS  射極控制二極管技術  SOI  

新型部分耗盡SOI器件體接觸結構

  • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構，該方法利用局部SIMOX技術在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結擴散，形成體接觸的側面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明，該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結構可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當的增加si膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。
  • 關鍵字： SOI  器件    

IMEC加入SOI聯盟

  •         據EE Times網站報道，旨在推進SOI晶圓應用的產業組織SOI聯盟（SOI Consortium）宣布，比利時研究機構IMEC已加入協會作為學術會員。         IMEC是一家獨立的納電子研究中心，已在SOI技術領域積極開展研究超過20年。IMEC開展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個節點。IMEC不僅研究SOI相關的器件原
  • 關鍵字： SOI  晶圓  IMEC  

加快推進集成電路產業材料本土化合作

  •         由上海市集成電路行業協會舉辦的“集成電路產業材料本土化合作交流會”2月17日在張江休閑中心召開。來自上海新陽半導體材料有限公司、安集微電子（上海）有限公司、上海新傲科技有限公司、上海華誼微電子材料有限公司等集成電路材料企業就高純CU電鍍液、SOI外延片、CMP拋光液、清洗液及高純化學試劑等新材料、新工藝做了介紹。會上近60位長三角地區晶圓制造企業代表參與并就四個報告進行交流。  &nb
  • 關鍵字： 集成電路  SOI  CMP  

SOI的CAN收發器實現EMC優化重大突破

  • 網絡電子系統在汽車和工業應用中日益得到廣泛部署，飛利浦采用獨特的新型絕緣體上硅芯片(SOI)技術推出的控制...
  • 關鍵字： SOI  CAN  EMC  汽車電子  
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