基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統性能、精度、扭矩和可實現更長的續航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
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EPC GaN FET ARMS 電機驅動器
奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
用過MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀態的。用過MOS管的小伙伴都知道，其內部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀
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MOS 二極管
當今行業中發現的大多數 FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現的電子特性。根據摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實現激進的溝道長度縮放。自從在現代電子產品中引入場效應晶體管 (FET) 以來，理論和應用電路技術已經取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
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柵極 FET
３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯網和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯生態壁壘物聯網讓我們曾經暢想的萬物互聯生活逐漸成為現實，但要將數以百億計的設備進行有效的互聯還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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Qorvo Matter SiC FET UWB
安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優勢和優越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
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NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有
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放大器 晶體管 MOS BJT
開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩定輸出直流電壓的電源。開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩定輸出直流電壓的電源。在目前電子產品的飛速增長中，開關電源憑借其70%~
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瑞森半導體 MOS 開關電源
極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內部帶有電池反接保護及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護和指示燈。可作為SMT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
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充電IC TP4054 TP4056 TP4057 電源管理IC MOS
隨著USB PD產品的廣泛應用與普及化，Infineon推出全新數位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構除較現行客戶常使用之ACF架構更具競爭力，在電路設計上相對容易，還可減少元件數量，且數位化的設計界面可滿足不同輸出瓦數的產品應用，提高在設計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片，借由數位控制與參數設定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產品的應用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現，更可以減少客戶的產品設計與開發
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Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
本文對于 MOS 管工作在開關狀態下的 Miller 效應的原因與現象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現電源的緩啟動。01 Miller效應一、簡介MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形。可以看到柵極電壓在上升階段具有一個平坦的小臺階。這就是彌勒效應所帶來的 MOS 管驅動電壓波
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MOS Miller
2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統功率密度。這些FET經優化適合車載充電器、軟開關DC/DC
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貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）和 IT/服務器電源應用實現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產品不斷問世，電源設計人員對硅功率器件的可靠性也很關心。事實上，GaN行業已經在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點，因
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GaN FET 電源 可靠性
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