- 英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發生在2015年。
Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。
在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產
- 關鍵字：
英特爾 11納米 EUV
- 相比于2009年今年全球半導體業的態勢好了許多，但是仍有少部分人提出質疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎?
在今年1月由SEMI主辦的工業策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂，認為雖然半導體業正在復蘇的路上，但是制造商們仍缺少激情，不肯繼續大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。
恐怕更大的擔心來自全球半導體業間的兼并與重組到來，以及產業能否支持得起22納米及以下技術的進步。
IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業正在復蘇，但是在半導體業運營中仍面臨成
- 關鍵字：
ASML 半導體 EUV
- TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。
這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發展新世代的工藝技術。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發展超紫外光微影技術的專業集成電路制造服務業者。
相較于現行浸潤式微影技術以193納米波長當作光源，超
- 關鍵字：
臺積電 EUV 微影設備 ASML
- 半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術(EUV)投入實用的時間點將再度后延。
據IC Insights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。
另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(TS
- 關鍵字：
EUV 光刻 450mm
- 2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設備整裝發往全球的5家客戶。業界傳言，最新的NXE3100系統將發送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠前，解決正在發生的問題，并預測著各種可能發生的問題及解決方案。
人們談論EUV的各種技術問題已歷時數年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術，用其
- 關鍵字：
ASML EUV 22nm
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發展資深副總經理，他將直接對張忠謀董事長負責。
這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發展副總經理，帶領研發團隊一路順利開發完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
- 關鍵字：
臺積電 40納米 HKMG EUV
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統。該公司已使EUV光學系統達到了生產要求。
光學系統是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發，EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產效率。
據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學系統已經研發了約15年。
- 關鍵字：
ASML EUV 光刻設備
- 市場研究機構Gartner警告，半導體設備產業的研發預算恐怕在接下來的五年內大幅削減80億美元，使該產業領域陷入危機。不過該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發聯盟的興起將成為救星。
缺乏適當的投資將導致技術藍圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰的準備;在目前營收低迷的情況下，半導體設備業正面臨著如此的危機點。不過Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產業聯盟的建立，而這些結盟關系在某些程度上減輕了業者因營收減少對研發所帶來的沖擊。
Fr
- 關鍵字：
半導體設備 通孔硅 high-k金屬閘極
- ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節點high-k 閘極介電層量產制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。
除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術進行制程開發活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節點開發計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來開發其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。
納米節點上實現成功的high-K制程
- 關鍵字：
ASM high-k 晶圓
- 對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
- 關鍵字：
光刻 EUV 掩膜 CMOS
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術最終將「一統江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米，約是248波長的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
- 關鍵字：
消費電子 EUV 電子束 消費電子
- 凌華科技推出High Speed Link系統延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產品可以為HSL用戶提供最長可達2400公尺的長距離使用及多點連接(multi-drop)接線架構，搭配高達十余種I/O及運動控制模塊的組合，提供客戶實時控制的完整解決方案。 凌華的High Speed Link（HSL）技術是串列式遠程I/O實時控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術，針對接線的
- 關鍵字：
High Link Speed 工業控制 凌華 汽車電子 通訊 網絡 無線 延伸 模塊 工業控制
- 音訊內容保護 (Content Protection) 技術與透過傳統電話的Skype應用功能加速音訊轉換芯片在數字家庭的應用 瑞昱半導體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內建內容保護與防拷&nbs
- 關鍵字：
High Definition 音訊轉換 瑞昱 通訊與網絡 芯片
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。 這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術，能夠實現很高的分辨率。對于液浸產生的缺陷和重合不穩定性的問題，據稱利用名為“Local-fill（局部
- 關鍵字：
NA 尼康 嵌入式系統
high na euv介紹
您好，目前還沒有人創建詞條high na euv!
歡迎您創建該詞條，闡述對high na euv的理解，并與今后在此搜索high na euv的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
