研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量，并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延（MOVPE）反應腔中生長的。???????
“對實現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說，在200mm硅晶圓上生長出
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硅晶圓 GaN 200mm MEMC
要預測客戶對一款手機性能的接受程度，從而預測手機設計的品質，需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具，本文將介紹如何進行此類測試。
UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數據、既有話音也有數據或既無話音也無數據時在蜂窩網絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網)和IP接入網絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統。作為網絡融合發展過程中一項里程碑式的技術，UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網，之后被3
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移動電話 UMA GAN SEGW WLAN
由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破，我國首臺具有自主知識產權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。
該設備在高亮度的藍光發光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備，目前國內半導體照明產業的研發和生產所需設備全部依賴進口。在此之前，杰生電氣已先后研發出2英寸單片和2英寸3片的
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青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN
介紹了智能模塊IPM的原理及其在雙PWM變頻調速系統中的應用，詳細介紹了IPM的引腳功能及其在系統中的驅動和電源設計，給出了原理圖及接線圖，并提出設計中各種注意事項。
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IPM 雙PWM變頻調速系統 引腳
三菱電機將攜同最新推出的第四代DIP-IPM（雙列直插型智能功率模塊），在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為參觀者帶來現今世界上最領先的變頻家電節能技術。
三菱電機作為業界的先驅，早在1997年就開發了用于白色家電和工業用電機的變頻驅動的DIP-IPM。2004年以來，DIP-IPM模塊的開發致力于小型化、低熱阻化以及完全無鉛化，并已開發出第四代DIP-IPM產品。如今，為提高DIP-IPM的性價比，增加了新開發的搭載RC-IGBT硅片的額定電流為3
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三菱 DIP-IPM 功率模塊 電源 200802
摘 要：以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例，介紹IPM的結構，給出。IPM的外圍驅動電路、保護電路和緩沖電路的設計方案，介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應用。關鍵詞：IPM：電路設計；PM200DSA060；逆變器
1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM
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模擬技術 電源技術 IPM 電路設計 PM200DSA060 模擬IC 電源
1 引言
智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。
2 IPM的結構
IPM由高速、低功率IGWT、優選的門級驅動器及保護電路構成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
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IPM MOSFET 電源技術 模擬技術 模塊
摘 要：本文主要介紹一個由RC和或門電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應用，解決了原有芯片死區時間不確定的問題。關鍵詞：延遲電路；IPM；死區時間
變頻控制死區時間簡介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道，控制IPM工作的六路PWM信號，在導通時序上，控制同一通道的上下兩路信號不能出現同時導通的情況，如圖1所示。也就是說同一橋臂的兩個IGBT不能同時導通，如果同時導通，輕則引起IPM的工作保護，造成停機，重則將IPM模塊擊
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IPM 死區時間 延遲電路
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