- 要可靠啟動DSP系統中用戶代碼，關鍵是Flash正確可靠燒寫。提出了一種基于CCS簡單、容易理解的直接燒寫方法。通過恰當設置COFF代碼段，保存運行地址必需的DATA，以在線編程的方式將保存的DATA燒寫到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗板，對Flash燒寫上電加載后，DSP能夠正確、穩定的運行。給出了直接燒寫方法，操作簡便，容易掌握，為DSP系統中Flash的燒寫提供了一條有效解決途徑。
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Flash CCS DSP 燒寫
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目前，隨著電子技術的不斷發展，計算機技術也得到飛速的發展，產生了很多新技術。但就計算機的基本結構來說，還是基本采用了馮?諾依曼結構。然而馮?諾依曼結構的一個中心點就是存儲一控制，所以存儲器
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VxWorks FLASH NAND 驅動
- 基于FPGA的高速大容量FLASH存儲,1、引言
數字電路應用越來越廣泛，傳統通用的數字集成芯片已經難以滿足系統的功能要求，隨著系統復雜程度的提高，所需通用集成電路的數量呈爆炸性增值，使得電路的體積膨大，可靠性難以保證 [1]。因而出現了現場可編
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FLASH 存儲 大容量 高速 FPGA 基于
- Flash存儲器已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。但是在對Flash進行編程或擦除的操作過程中，如果單片機需要處理一些緊急的情況(如中斷、數據存儲等等)，就需要暫停相對比較消耗時間的Flash編程/擦寫過程，優先處理這些緊急情況。這對Flash存儲器的工藝水平及控制技術提出了更高的要求。
瑞薩公司推出的R8C/1B單片機采用改進的Flash存儲器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時間，使其能夠更加及時地響應中斷或進行其他操作。
Flash編程/擦除掛起功能
所謂掛起功能，是
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瑞薩 R8C Flash
- 隨著EDA(電子設計自動化)技術的發展和可編程邏輯器件性能的不斷提高，基于FPGA的可編程片上系統技術為系統設計提供了一種簡單、靈活、高效的途徑。基于NiosII的可編程片上系統(SoPC)設計中，幾乎所有的應用設計都需要使用Flash存儲器，而Flash的編程必需相應的目標板Flash編程設計支持。結合實際應用詳細論述了目標板Flash編程設計的創建及應用。
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Flash SoPC 編程
- 1．引言 隨著當前移動存儲技術的快速發展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優點，在移動產品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發、
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FLASH 存儲器 測試 方法研究
- 全球有線和無線通信半導體市場的領導者Broadcom(博通)公司和Adobe系統公司今天宣布，雙方將展開工程合作，在基于英特爾原子處理器的平臺上、以硬件加速方式播放基于Adobe Flash技術的高清視頻內容。雙方的合作為在基于英特爾原子處理器的上網本電腦和上網機上實現豐富、無縫的娛樂體驗鋪平了道路，從而使用戶能以新的方式訪問和使用全球流行的在線服務提供商提供的Web內容。
通過雙方的合作，Adobe Flash平臺的關鍵組件之一Adobe Flash播放器軟件將得到Broadcom Cryst
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Broadcom Flash 硬件加速
- 功耗敏感應用的設計人員如今面對前所未有嚴格的系統總體功耗限制、規范和標準。與此同時，這類應用所要求的功...
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FPGA 低功耗 Flash
- 瑞薩科技公司（以下簡稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲器微控制器（Flash微控制器）。這個系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動化）設備、樓宇自動化（空調和電力監控設備）和各種通信設備等工業應用實現了200 MHz操作和大量內置式外設及通信功能。SH7216系列包含12個產品群的36款器件，其片上存儲器容量和封裝類型各有不同。
這些產品的主要特性如下：
(1) 達到
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瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH
- 以提供多種基于Flash和反熔絲技術的低功耗、高可靠性單芯片FPGA而著稱的Actel公司，在全球經濟出現下滑的2008...
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FPGA Flash LCD
- 集邦科技(DRAMeXchange)表示，2月下旬NAND Flash(閃存)合約價格呈現上揚，現貨價格方面卻已經開始下跌；然而，目前現貨市場仍處于多空未明狀態，觀望氣氛濃厚，買家不敢貿然搶進。
集邦表示，2月下旬主流MLC NAND Flash合約均價約上漲8%到36%，SLC合約價則維持平盤，價格上漲的主要原因是今年首季國際大
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集邦 NAND Flash
- 據EE Times網站報道，市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示，全球NAND flash產能繼2008年減少近28%之后，2009年將再降59%。
2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%，而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復且供應商控制其產出增長，那供應過剩的局面可能得到改善，NAN
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DRAMeXchange flash
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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