- 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發，可應用于廣泛領域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發用于G
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新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
- 半導體代工廠格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）宣布，旗下最先進的FinFET解決方案「12LP+」已通過技術驗證，目前準備投入生產。 格羅方德的差異化「12LP+」解決方案主要針對AI訓練以及推論應用進行優化。本解決方案建立于驗證過的平臺上，具有強大的制造生態系統，可為芯片設計師帶來高效能的開發體驗，及快速的上市時間。 為達到性能、功耗和面積的組合，12LP+導入了若干新功能，包含更新后的標準組件庫、用于2.5D封裝的中介板，與一個低功耗的0.5V Vmin SRAM記憶單元，以支持AI處理器與內
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格羅方德 12LP+ FinFET AI
- 由于世界前兩大的半導體廠都相繼宣布投入GAA的懷抱，因此更讓人篤定，也許3納米將會是GAA的時代了，因為至3納米制程，FinFET晶體管就可能面臨瓶頸，必須被迫進入下個世代。
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微縮 臺積電 3納米 FinFET
- 在燧原科技（燧原）發布云燧T10之際，燧原與格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日共同宣布推出針對數據中心培訓的高性能深度學習加速卡解決方案，其核心“邃思”（DTU）基于格芯12LP?FinFET平臺及2.5D 封裝技術，為云端人工智能訓練平臺提供高算力、高能效比的數據處理。燧原的“邃思”（DTU）利用格芯12LP ?FinFET平臺擁有141億個晶體管，采用先進的2.5D封裝技術，支持PCIe 4.0接口和燧原 Smart Link高速互聯。支持CNN/RNN等各種網絡模型和豐富的數據類型
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FinFET 2.5D
- 臺積公司5奈米 FinFET 強化版（N5P）制程技術上開發的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI臺積公司N5P工藝上開發的DesignWare基礎IP核包括高速、面積優化和低功耗的嵌入式存儲器、邏輯庫和一次性可編程非易失性存儲器。STAR Memory System?采用針對5nm FinFET晶體管缺陷的新算法，可有效測試、修復和診斷嵌入式存儲器新思科技（Synopsys, In
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新思 臺積合 FinFET 強化版N5P
- 晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠SiFive正在合作研發將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務，可加速人工智能（AI）應用上市時間。
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格芯 人工智慧應用 12LP+ FinFET
- Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 的 7nm FinFET Plus 和最新版本的 5nm FinFET 工藝的認證。此外，Mentor 還繼續擴展 Xpedition? Package Designer 和 Xpedition Substrate Integrator 產品的功能，以支持 TSMC 的高級封裝產品?！ SMC 設
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Mentor FinFET
- 格芯是全球領先的全方位服務半導體代工廠，為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設計、開發和制造服務。2018年9月25日， 格芯在其年度全球技術大會(GTC)上，繼在300mm平臺上面向下一代移動應用推出8SW RF SOI客戶端芯片后，格芯宣布計劃在其14/12nm FinFET產品中引入全套新技術，這是公司加強差異化投資的全新側重點之一，功能豐富的半導體平臺為下一代計算應用提供具有競爭力的性能和可擴展性。新工藝技術旨在為快速增長市場(如超大規模數據中心和自動駕駛汽車)應用提供更好的可擴展性和性
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格芯 FinFET
- 自從28納米制程節點向下轉進以來，就剩下四大晶圓代工廠商持續鞏固先進制程：臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、GlobalFoundries(GF)以及英特爾(Intel)。但在這四大廠商轉進16/14納米先進制程過程中，又以GF歷經最多波折，但最終，GF尋求向三星取得14納米制程授權，更成功將該節點制程落實在自家晶圓廠。隨后包括超微(AMD)旗下RyzenCPU與PolarisGPU系列產品的成功，均可說是GF旗下晶圓廠14納米制程終于達到良率開出順利，并且改善制程足以提供更明
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GF FinFET
- 現在主要的代工廠都在生產FinFET晶體管，這些FinFET以創紀錄的速度實現了從設計到現貨產品的轉變。FinFET的發展普及一直都比較穩定，因為與平面器件相
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FinFET 動態功耗
- 9日中芯國際集成電路制造有限公司公布截至2018年6月30日止第二季度的綜合經營業績。中芯國際第二季度銷售額為8.907億美元，與上一季度環比增長7.2%，與去年同比增長18.6%。欣喜的是，14納米FinFET制程開始進入到客戶導入階段，可以預見量產目標已不遙遠。14納米FinFET制程如果正式量產，對于中芯國際來說將是一個歷史性的時刻。不僅可以確保其遙遙領先于國內的競爭對手，更是可以拉近其和國際芯片大廠之間的距離。 根據中芯國際財報，第二季度不含技術授權收入(授權收入)確認的銷售額為8.379億
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中芯國際 14納米 FinFET
- 為了能夠充分發揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優勢， 必須要求我們的設計人員將有相關工藝知識的設計戰略和優化的IP相結合，其中包括了標準
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FinFET synopsys
- 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分
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FinFET 布線
- 近日，德克薩斯州聯邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術，需向后者支付賠償金或將高達4億美元?！ 私猓n國技術學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術學院合作開發了這項技術，并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術的發明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴重性?！ ?/li>
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三星 FinFET
finfet介紹
FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術上的突破，未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [
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