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coolsic mosfet 文章 進入coolsic mosfet技術社區

采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點

  • 近年來，為了更好地實現自然資源可持續利用，需要更多節能產品，因此，關于焊機能效的強制性規定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設計來實現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續發展的推動力。譬如，多個標準法規已經或即將強制規
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解

  • 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場效應晶體管一般稱作靜電感應晶體管（Sta
  • 關鍵字： MOSFET  

用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

  • 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優勢設計 OBC 系統。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術的汽
  • 關鍵字： 安森美  車載充電器  MOSFET  

三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

  • MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態時工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rc
  • 關鍵字： 三極管  MOSFET  

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

  • 要能快速高效地為電動車更大的電池充電，電動車才能在市場普及并發展。2021 年，市場上排名前 12 位的電動汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進行充電。為確保合理的車輛充電時間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時，這些電動汽車需要 12.1 小時才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時間縮短至 7.3 小時，而使用 22 kW OBC 時，只需
  • 關鍵字： MOSFET  車載充電器  

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術鑒定

  • 近日，中國電科55所牽頭研發的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創新性顯著，總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業鏈量產平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
  • 關鍵字： 中國電科  55所  碳化硅  MOSFET  

SMPD先進絕緣封裝充分發揮SiC MOSFET優勢

  • SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開發。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關鍵優勢：· 
  • 關鍵字： Littelfuse  SMPD  MOSFET  

安森美與Kempower就電動汽車充電樁達成戰略協議

  • 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰略協議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術，開發電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。  安森美為Kempower 的Satellit
  • 關鍵字： 安森美  Kempower  充電樁  EliteSiC MOSFET  電動汽車快充  

英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動節能電氣化列車低碳化

  • 【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有苛刻的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行。因此，它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質量的節能牽引應用。 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）為了滿足上述需求，在其 CoolSiC? 功率模塊產品組合中增加了兩款新產品：FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  高功率模塊  節能電氣化列車  

Nexperia首創交互式數據手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為

  • 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態響應這些變化。 這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
  • 關鍵字： Nexperia  交互式數據手冊  MOSFET   

MOSFET電路不可不知

  • MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區。當MOSFET用作
  • 關鍵字： 雷卯  MOSFET  

SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

  • 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  MOSFET  

功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
  • 關鍵字： 功率半導體  IGBT  MOSFET  SIC  

優化SiC MOSFET的柵極驅動

  • 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
  • 關鍵字： SiC MOSFET  柵極驅動  安森美  

ROHM開發出超低導通電阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業設備的工作
  • 關鍵字： ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET  
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