- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產品陣容中已經擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設備應用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發售8款適用于FA設備和光伏逆變器等工業設備的“SCS2xxxN”。近年來，xEV得以快速普及，對于其配套的OBC等部件而言，功率半導體是不可或缺的存在，因此，市場對發熱量少、開關速度快、耐壓能力強的SiC SBD的需求日益高漲。其中，小型
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ROHM xEV SiC肖特基勢壘二極管
- 采用自主設計封裝，絕緣電阻顯著提高！全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產品陣容中已經擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設備應用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發售8款適用于FA設備和光伏逆變器等工業設備的“SCS2xxxN”。近年來，xEV得以快速普及，對于其配套的OBC等部件而言，功率半導體是不可或缺的存在，因此，市場對發熱量少、開關速度快、耐壓能力強的Si
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ROHM xEV SiC肖特基勢壘二極管
- 中國上海，2023年7月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工業設備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產品（均為650V）中有7款產品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新產品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優化了第2代產品的結勢壘肖特基（JBS）結構[2]。它們實現業界領先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（
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東芝 SiC肖特基勢壘二極管
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