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英特爾兩臺High NA EUV光刻機已投產,單季完成3萬片晶圓
- 據路透社2月24日報道,英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示,英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產,早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve Carson指出,新的High NA EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作,從而節省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示,High NA EUV 機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟,即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
- 關鍵字: 英特爾 High NA EUV 光刻機 晶圓
價值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一,其分辨率達到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關鍵字: Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
High-NA EUV光刻機入場,究竟有多強?
- 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機(DUV)起步,其穩定可靠的性能為半導體產業的發展奠定了堅實基礎;再到后來的極紫外光刻機(EUV)以其獨特的極紫外光源和更短的波長,成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數值孔徑光刻機(High-NA)正式登上歷史舞臺,進一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示,其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發,將于 2024 年安裝在 A
- 關鍵字: High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
- 3 月 27 日消息,據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道,ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術,運行效率得以提升。根據IT之家之前報道,NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝,可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量,相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA(高數值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關鍵字: ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機?
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
- 關鍵字: 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV,臺積電如何應對?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經接收市場首套具有0.55數值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機,預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 相較之下,臺積電則采取更加謹慎的策略,業界預計臺積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺積電暫時觀望的原因,臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術,以確保產品競爭力。Hig
- 關鍵字: 英特爾 High-NA EUV 臺積電
SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革

- 由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制,DRAM的性能被要求不斷提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術,并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關鍵字: SK海力士 High-k Metal Gate
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