據路透社2月24日報道,英特爾資深首席工程師Steve Carson在美國在加利福尼亞州圣何塞舉行的一場會議上表示,英特爾已經安裝的兩臺ASML High NA EUV光刻機正在其晶圓廠生產,早期數據表明它們的可靠性大約是上一代光刻機的兩倍。Steve
Carson指出,新的High NA
EUV光刻機能以更少曝光次數完成與早期設備相同的工作,從而節省時間和成本。英特爾工廠的早期結果顯示,High NA EUV
機器只需要一次曝光和“個位數”的處理步驟,即可完成早期機器需要三次曝光和約40個處
8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一,其分辨率達到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現2nm以下先進制程大規模量產的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設備。根據英特爾8/1財報電話會議紀錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺大型設備,安裝時間需要數月,預計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出,第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現不佳,因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過
5月26日,臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動,臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業激光專業公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品,包括High-NA EUV設備將如何實現未來