- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kV
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瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
- 奈梅亨,2020年2月25日:分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作,以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件,因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域,這意味著車輛行駛里程更長,而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現在,GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC,成為插電式混合動力汽車
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Nexperia GaN EV逆變器
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