- 華虹半導體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現量產。
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華虹 90納米 嵌入式閃存
- 全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司 (“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統稱“集團”，股份代號：1347.HK) 今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。 華虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上，于90nm G2 eFla
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華虹 90納米
- 全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺已成功實現量產，基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點，具有很強的市場競爭優勢。
華虹半導體自主研發的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺，是國內最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術，可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎上，提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eF
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華虹 90納米
- 中國半導體量變了這么多年了，始終沒看到質的進步。或許業內人士說，我們跟人家差的太遠了，我們始終在追趕的路上，抬頭發現別人早已加速。但是我們并沒有放棄，依然在充滿荊棘的路上努力前行。量變引起質變的臨界點來了嗎？
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半導體 90納米
- 內存廠商力晶受到標準型DRAM占營收比重不斷降低影響，11月營收20.26億元，創下2009年7月以來新低。盡管營收表現不佳，不過力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動芯片高壓制程進入量產，持續朝轉型之路邁進。
力晶日前宣布淡出PC DRAM產業之后，積極邁開業務轉型步伐，該公司發言人譚仲民指出，代工事業的制程技術獲得重大進展，與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅動芯片高壓制程，已開發成功并進入量產，此技術承接原瑞薩電子之制程技術，將
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力晶 芯片 90納米
- 全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術，試產出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發90納米快閃存儲器技術，進一步強化合作關系。
全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫，就是看好未來廣大的行動運算市場。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開發28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內的實體智財產品。
因
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全球晶圓 90納米 快閃存儲器
- 中芯國際10日晚間發布的財報顯示，第二季度中芯國際營收3.81億美元，同比增加42.5%，凈利潤9600萬美元，成功扭虧為盈，上一季度該公司虧損1.81億美元。
咨詢公司iSuppli高級分析師顧文軍認為中芯國際第二季度財報有三大亮點，中芯國際真正意義上的盈利盡在眼前。
顧文軍對新浪科技表示，本季度中芯國際財報主要有三個亮點：
第一：毛利率持續走高 盈利盡在眼前。在財報中，中芯國際由第一季度虧損1.81億美元到本季度的“凈利潤9600萬美元，成功扭虧為盈”，當
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中芯國際 90納米
- 從現在開始可以倒計時了，距離英特爾大連芯片廠還有100天左右的時間。
日前，英特爾亮相2010中國(大連)國際專利技術與產品交易會。通過展示創立42年來在技術創新和專利領域的重要成果，分享創新和知識產權管理的成功理念與經驗，英特爾致力于推動中國自主創新的步伐與健康產業發展環境的建設。
在會議期間，CNET科技資訊網記者了解到，英特爾大連芯片廠正在有條不紊地為10月份正式投產做準備。
據悉，現在英特爾大連芯片廠已有員工1500余人，其中包括近300人的外籍專家，這些專家將在工廠運營初期
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英特爾 90納米
- 飛思卡爾半導體日前發布了40款新的ColdFire+ (plus)器件，將其久經考驗的ColdFire產品線提升到一個新的高度，鞏固了該公司在32位微控制器 (MCU) 領域的領先地位。通過采用90納米 (nm) 薄膜存儲器 (TFS) 閃存技術以及 FlexMemory技術，ColdFire+ MCU致力于成為市場上集成程度最高、最經濟高效和小封裝的32位MCU。
ColdFire+ MCU依托飛思卡爾在32位微控制器方面的既有優勢，代表了ColdFire演進的下一步。新的ColdFire
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Freescale MCU 90納米 混合信號
- 證交所重大訊息公告
臺積電-本公司2009年第四季每股盈余新臺幣1.26元
1.召開法人說明會日期:99/01/28
2.召開法人說明會地點:遠東國際大飯店叁樓遠東宴會廳
(臺北市敦化南路二段201號)
3.財務、業務相關資訊:
本公司今(28)日公布2009年第四季財務報告，合并營收為新臺幣920.9億元，稅后純益為新臺幣326.7億元，每股盈余為新臺幣1.26元(換算成美國存託憑證每單位為0.19美元)。
與2008年同期相較，2009年第四季營收增加42
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臺積電 90納米 芯片制造
- 美商高盛證券22日舉行“兩岸科技CEO論壇”，聚焦兩岸開放帶來的機會，臺積電董事長張忠謀一早針對兩岸半導體政策與產業未來進行演講，據與會廠商轉述，張忠謀認為2年內12吋晶圓廠可望開放登陸;張忠謀并上調半導體今年增長率至22%。
高盛證券8年后再度回臺舉辦論壇，第一位邀請上臺演講的，就是臺灣市值最大的全球化企業臺積電董事長張忠謀，會后針對臺灣半導體產業開放政策，張忠謀表示臺灣政策仍有諸多限制，明確開放才不會讓企業感到不確定，甚至偷偷摸摸地登陸。
臺美半導體政策差距3-
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臺積電 晶圓 90納米
- 按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產出之間的鴻溝，預計在未來的十年內中國的半導體設備與材料市場將增加一倍。
由假設的鴻溝數字出發，由于中央與地方政府都相應出臺了鼓勵政策，促進在未來十年中設備及材料的采購會大幅增加。
除此之外，隨著中國的芯片制造與封裝測試設備的大量進口也大大促進了中國研發和工藝技術人材的需求迅速增加。
自1997年中國半導體市場超過美國與日本之后，中國的政策制訂者開始極力強調要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內產出
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芯片制造 封裝測試 90納米 65納米 45納米
- 臺積電繼宣布明年調薪15%，強化人才誘因， 23日又宣布與北京清華大學合作，共同邀請在半導體領域表現杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導體創新人才演講及座談會，并提供清大先進65納米與90納米制程晶圓共乘服務，協助系統單芯片等技術的創新開發。
臺積電表示，將與清大共同邀請在半導體領域占有一席之地的重要領導人物，每季 2位返校分享全球及中國半導體業發展趨勢、前瞻技術概況、當前市場競爭樣貌及個人創業歷程，為學界和產業界搭起雙向溝通橋梁，以承先啟后，同時對學校研究項目提出產業界建議。
這項
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臺積電 65納米 90納米 SOC 晶圓共乘
- 芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma)設計自動化有限公司日前宣布，Quartz™ DRC和Quartz LVS規則集現可應用于臺積電(TSMC)180納米工藝技術。通過這種支持力度的加大，設計師現在能夠從TSMC-Online(SM)網站下載到Quartz DRC和Quartz LVS的40納米、65納米、90納米、130納米和180納米規則集(rule decks)。
“多年來，我們一直采用微捷碼的Quartz DRC和Quartz LVS進行先進工藝節點設計。我們
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Magma Quartz 180納米 40納米 65納米 90納米 130納米
- 中芯國際公布截至09年6月30日止中期業績，錄得股東應占虧損2.77億美元，每股虧損0.01美元，不派中期息。
該公司08年同期錄得虧損2.7億美元。
特許與中芯國際誰更幸運
阿布扎比金主再次攪動半導體業，繼上次拯救了AMD的財務困境后，此次又花重金收購新加坡特許半導體，并將兩者合并組成新的GF。此舉在全球代工業中產生極大的震蕩，非常明顯此舉既救了特許，同時又沖著臺積電而來。
處于全球代工第三及第四名的中芯國際與特許，如今兩者的地位發生了新的變化，好像特許又找了個“
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中芯國際 45納米 90納米 存儲器
90納米介紹
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