- 【環球時報綜合報道】繼臺積電日本首座晶圓廠2024年年底開始量產后，臺積電美國廠也正式加入投產行列。據臺灣《聯合報》1月12日報道，美國商務部長雷蒙多近日對英國路透社透露，臺積電最近幾周已開始在美國亞利桑那州廠為美國客戶生產先進的4納米芯片。她還說，這是美國史上首度在本土由美國勞工制造先進的4納米芯片，良率和質量可媲美臺灣。路透社稱，臺積電去年4月同意將原先計劃的投資金額增加250億美元至650億美元，并于2030年前在亞利桑那州興建第三座晶圓廠。去年11月，美國商務部敲定66億美元補助款，資助臺積電美國
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- 中國大陸積極扶植國內半導體業發展，據報道兩家中國大陸大廠包括紫光展銳、小米的4納米手機芯片都流片成功，代表離陸產4納米芯片不遠了。紫光展銳和小米都采用國外IP核心ARM、IMG打造國產芯片，預計這2款芯片進行規模化應用后，有機會突破高通和聯發科在手機芯片壟斷的局面。科技博主「定焦數字」表示，紫光展銳4納米芯片已Tape Out（送交制造），這款芯片采用X1大核、A78中核、A55小核，GPU采用Mali G715 MC7，性能達到高通驍龍888的水平。另一博主「Oneline科技」透露，小米自研芯片成果已
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- 幾個月前，臺積電發布了 2023
年年報，但顯然，文件中包含的關鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談談臺積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術革命的
A14。臺積電宣布，該公司終于進入了"Angstrom 14 時代"，開始開發其最先進的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節點之后出現，這意味著你可以預期它至少會在未來五年甚至更長的時間內出現。著
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- 3月17日，據臺灣《經濟日報》消息，臺積電美國亞利桑那州廠預計2024年量產4納米，高通（Qualcomm）全球資深副總裁暨首席運營官陳若文今天表示，高通將是臺積電美國廠4納米的首批客戶。陳若文進一步說明，外界誤解臺積電的美國大客戶要求臺積電將臺灣地區的產能搬至美國，實際上是希望臺積電在美國也能建置產能。至于成本，他不認為是個問題。
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- 據韓媒Business Korea報道，三星電子將在今年上半年開始大規模生產第三代4納米芯片。報道稱，三星電子3月12日發布了一份商業報告，報告提到將在今年上半年開始2.3代（2.3-generation
process）4納米工藝大規模生產。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產時間。與4納米芯片的第一代產品SF4E相比，第二代和第三代產品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業界已經量產的最先進的半導體工藝制程為3納米，但市場主要產品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠商主要
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- 10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點。在上述晶圓代工系列活動上，三星對外介紹了最新技術成果，以及未來五年晶圓代工事業發展規劃。豪賭先進制程：2025年2nm、2027年1.4nm！今年6月，三星率先啟動了基于GAA(全環繞柵極）架構的3nm制程芯片生產。未來三星將繼續提升GAA相關技術，并將其導入2nm和1.7nm節點工藝。按照規劃，三星將于2025年量產2nm先進制程工藝技術，到202
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- 代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會謊報自己的年齡或體重，但若公司出現了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構成了品牌稀釋。最近的半導體市場就出現了這種情況，當時，兩家領先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而實際使用的卻仍是5納米技術。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背后，也意味著晶體管發展的緩慢。這個問題最初始于三星。在與臺積電下一個節點的長期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節點之間用兩年時間，在2
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- 據外媒報道，在今年的IEEE國際電子設備會議（IEDM）上，芯片巨頭英特爾發布了2019年到2029年未來十年制造工藝擴展路線圖，包括2029年推出1.4納米制造工藝。
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- Intel日本分公司在筑波市舉行了一次技術會議，內容頗為豐富，涉及半導體技術現狀與未來、Nehalem微架構、ATM主動管理技術、Anti-Thefe防盜技術、My WiFi無線技術等等。
其中有關半導體制造工藝的展望引起了我們的特別關注。近十幾年來，Intel以每兩年升級一次的速度從0.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個世代，并帶來了多種技術革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內部互聯材料從鋁到銅、通道從硅到應變硅
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