日本汽車制造商本田把3維傳感器技術用于提高汽車安全性。本田汽車宣布對Canesta公司的電子感知技術投資500萬美元。本田在過去三年中一直對Canesta進行投資，近日表示它將采用該技術來開發避撞系統這樣的汽車安全應用。 Canesta的圖像傳感器可以被隱藏在車身、汽車裝飾品或汽車儀表盤中?！八峁┮环N成本比較低的芯片級3D攝像方案，可以一種安裝來提供多種應用，”本田戰略風險投資的領導人ToshinoriArita在一次發言中說。
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根據半導體產業協會SIA報告，2007年8月全球芯片銷售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷售增長超過分析師預測，比2007年7月的三月平均銷售額206.1億美元增長4.5%。 SIA表示，增長歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷售價格反彈。8月份NAND閃存銷售價格比7月增長19%，與2006年8月相比增長48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節性增長帶來全球半導體銷售連續健
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Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產能利用率已經處于最高位。 事實上，東芝公司的業務表現正在發生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠產能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價下降70%，東芝曾經預計2007年更進一步下滑50%，但是到目前為止，價格還高于預計之上?！?價格已經觸底
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摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。
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引 言
大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經歷庫存增加壓力。 根據內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業內，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現貨市場價格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經減少其采購，最新的報價仍然加
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據國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。 據悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司； Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
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1 引言在便攜式電子產品如U盤、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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致力于簡化系統級存儲驗證和測試的業界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規范使設計者可以方便地在不同廠商提供的開發平臺上測試多種存
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在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產后，各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業界預測DRAM內存合同價在8月還將上升。 業界預測DRAM內存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產的影響，NAND閃存的價格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場的價格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價。 在三星向外界透露
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三星 NAND 閃存
NAND Flash供需出現進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發生停電事故，導致市場產生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發生大規模停電，生產NAND Flash等之6條生產線全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產品將廢棄?，F階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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三星 NAND 閃存
據閃存技術的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經使1英寸硬盤失去了用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構成了威脅。 他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現更多的閃存筆記本電腦。 在未來的5-7年內，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達1年的慘淡經營時期；然對于產業中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！ 業界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產能擴充計劃，加上大廠們新制程技術轉換仍處調整期，因此整體NAND Flash位產出量僅維持與第一季相當水平，不過受惠于產品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型，強調可靠性的NOR 主要用途在于應用程序和操作系統儲存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數據儲存(Data Storage)方面，近來由于手機、數字相機、數字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產品的需求旺盛，帶動兩者銷售量持續成長，尤其NAND 在蘋果計算機推出的數字音樂播放機iPod 熱賣
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