這款測試芯片是業界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過加快產品上市進程、提供同類最佳性能、及確保穩健的產品設計，堅定客戶對Dolphin Design產品的信心，再度證實了Dolphin Design在混合信號IP領域的行業領先地位。2024年2月22日，法國格勒諾布爾——高性能模擬、混合信號、處理知識產權（IP）以及ASIC設計的行業領先供應商Dolphin De
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Dolphin Design 12納米 12nm FinFet 成功流片
2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代雙倍數據率同步動態隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發出實現1TB內存模組的解決方案
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三星 12納米 DDR5 DRAM
今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優勢。"采用差異化的工藝技術，三星業內先進的12 納米級DDR5
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執行副總裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們為滿足計算市場對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業化的下一代
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5
DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動系統等領域更可持續運營的基礎。"AMD高級副總裁、企業院士兼客戶、計算
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
國產CPU性能水平不斷提升。日前，飛騰公司發布新一代服務器芯片騰云S2500，擁有64顆內核，采用16納米工藝，主頻達到2.0-2.2Ghz。同時有消息稱，龍芯中科正在設計中的新一代處理器LS3A5000/3C5000基于12nm工藝，即將流片。近年來我國CPU產業發展很快，在工藝水平、產品性能上均快速接近，甚至達到國際主流水平。目前，我國CPU產業面臨的問題主要是產業生態上的不足，希望新基建能為國產CPU的應用與發展提供新的契機。新一代CPU工藝和性能雙提升國產CPU再掀新動作。7月23日，飛騰公司發布
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國產CPU 16/12納米
三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節電優勢可能讓這種內存替代現有的移動存儲形式.
多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態就會發生改變,晶體的變化對應計算上的0,1狀態,從而可以用于數據存儲.
一直以來,包括英特爾和英飛凌在內的很多公司都在從PCM的研發,他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存.
三星半導體
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三星 PCM 34納米 10納米 12納米
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