2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調:“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎,提高了設計完成度,率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備,從明年開始供應產品,引領半導體存儲器市場發展。”公司以1b DRAM