非易失性內(nèi)存 文章 進(jìn)入非易失性內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
歐洲重啟存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)：德國鐵電FMC押注新非易失性內(nèi)存技術(shù)FeRAM
- 4 月 8 日消息，德國鐵電存儲(chǔ)器公司（FMC）宣布與半導(dǎo)體企業(yè) Neumonda 達(dá)成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲(chǔ)芯片（FeRAM）生產(chǎn)線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)德國DRAM 工廠破產(chǎn)關(guān)停后，歐洲首次嘗試重啟存儲(chǔ)芯片本土化生產(chǎn)。▲ 圖源：Neumonda雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲(chǔ)容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-
- 關(guān)鍵字： 歐洲 存儲(chǔ)芯片 生產(chǎn) 德國 鐵電FMC 非易失性內(nèi)存 FeRAM
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