- 非對稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環結構之后，為使I-V特性曲線對稱而設計的非對稱結構，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設計維持電壓高的HHVADDSCR。經TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
- 關鍵字：
202107 非對稱可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應
非對稱可控硅介紹
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