當地時間1月6日，美國國防部通過《聯邦公報》發布最新版的“中國涉軍企業”清單（Communist Chinese military company，“CMC”，根據美國法律正式規定為“第1260H條名單”），將騰訊控股、寧德時代、長鑫存儲、移遠通信，以及無人機制造商深圳市道通智能航空技術股份有限公司（Autel Robotics Co.,Ltd.）等中企新增列入該清單，完整清單包括134家中企，其中還涵蓋了長江存儲、中芯國際等眾多中國半導體企業。根據美國《2024財年國防授權法》的相關規定，被列
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中國一家領先的半導體公司取得了該國首款新一代先進移動存儲芯片，實現了縮小與韓國和美國競爭對手的差距的關鍵進展。長鑫存儲技術（CXMT）在其官方網站上的一份聲明中表示，他們已經生產出中國首款低功耗雙數據率5（LPDDR5）動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片，這是一種由韓國三星電子在2018年首次推出的新一代存儲芯片。這一突破是在美國加大對中國先進芯片制造業發展的制裁力度的背景下取得的，這將使中國能夠減少對進口產品的依賴，這些產品用于電子設備，如手機和筆記本電腦。總部位于合肥的CXMT表示，他們的一款產品，即
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IT之家 4 月 20 日消息，據彭博報道，知情人士稱，中國芯片制造商長鑫存儲計劃今年在科創板 IPO，估值不低于 1000 億元人民幣。據報道，長鑫存儲正在挑選承銷商，IPO 規模尚未最終確定。截至IT之家發稿，長鑫存儲的一位代表就 IPO 計劃不予發表評論，稱公司目前專注于研發工作及發展核心業務。長鑫存儲目前是中國最大的 DRAM 制造商，主要生產 DRAM 芯片，這種芯片用于個人電腦、服務器和智能手機等設備。長鑫存儲的競爭對手包括三星電子、SK 海力士和美光科技等全球領
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國產DRAM領域，長鑫存儲可謂是一枝獨秀，它在技術上的突破與否，直接關系到國產DRAM產業的發展。近日，據臺灣《電子時報》援引業內人士消息，長鑫存儲的17nm制程成品率初步達到40%，預計將在2022年晚些時候逐步提高。據其計劃，將在2022年下半年將月產量提高到6萬至8萬片12英寸晶圓。長鑫存儲將17nm工藝節點作為下一代主流制造技術。該人士認為，當其17nm制程成品率提高到成熟水平時，將能夠提高DDR3和DDR4產能，并將在專業DRAM領域與包括南亞科技和華邦電子在內的中國臺灣同行展開直接競爭。
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作為國產DRAM的絕對領頭羊，近年來合肥長鑫存儲頗受資本青睞，尤其是隨著信息安全的國產化加劇，以及國內外的各種技術封鎖，更加凸顯長鑫存儲的重要性。近日，針對國產DRAM的唯一香餑餑，再次受到新資本的入局。據公開消息，阿里巴巴(中國)網絡技術有限公司新增對外投資，新增投資企業為睿力集成電路有限公司，投資比例未披露。而通過相關信息透露，國產DRAM廠商長鑫存儲的母公司——睿力集成電路有限公司(以下簡稱“睿力集成”)日前發生股東變更，新增陽光人壽保險股份有限公司、阿里巴巴、中郵人壽保險股份有限公司等19位股東，
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日前紫光國芯的DDR4內存條出現在京東商城,包括臺式機、筆記本兩種類型,價格方面4GB 129元、8GB 219元,但不清楚內存芯片是否為紫光自產。其實今年2月底,長鑫存儲官網就開始公開銷售自家的DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4X內存芯片,官方還強調是第一顆國產的DDR4內存芯片,但因為主要主要面向行業客戶,沒有公開報價。現在,主打性價比的內存品牌光威(Gloway)邁出了歷史性的一步,官方網站新上架了羿PRO系列內存,赫然采用長鑫DDR4內存芯片!根據介紹,光威羿PRO系列內存單條容量8G
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日前，長鑫存儲技術有限公司（以下簡稱“長鑫存儲”）與美國半導體公司Rambus Inc.（以下簡稱“藍鉑世”）簽署專利許可協議。依據此協議，長鑫存儲從藍鉑世獲得大量動態隨機存取存儲（以下簡稱“DRAM”）技術專利的實施許可。
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對于國產軟硬件,我們從未如此期盼,幸運的是各項突破也是接踵而至,現在我們終于有了自己的內存。長鑫存儲官方網站上,已經公開列出了自家的DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4X內存芯片,都符合國際通行標準規范。據介紹,長鑫DDR4內存芯片可匹配主流市場需求,支持多領域應用、多產品組合,并有充分的可靠性保障,規格方面單顆容量8Gb(1GB),頻率2666MHz,電壓1.2V,工作溫度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長鑫特別強調,這是第一顆國產的DDR4內存芯片。根據此前消
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近日，據外媒報道，長鑫存儲正式宣布其成為了國內第一家也是唯一一家DRAM供應商。長鑫存儲2016年5月在安徽合肥啟動，專業從事DRAM內存的研發、生產和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產，并通過專用研發線快速迭代研發，結合當前先進設備大幅度改進工藝，開發出了獨有的技術體系。長鑫內存自主制造項目總投資1500億元，將生產國產第一代10nm工藝級8Gb DDR4內存芯片，并獲得了工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。該晶圓廠每月產量為20000晶圓，到2020年第二季度這一速
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新華社消息，在合肥召開的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。
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