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量子隧穿效應 文章 進入量子隧穿效應技術社區(qū)

芯片制程突破1nm后,這個發(fā)展方向很有前景

  • 眾所周知,芯片的工藝是越來越先進,臺積電的代工能力已經到5nm了,而且直言不諱的表示3nm、2nm已經在路上了。隨著集成電路的發(fā)展,計算機一直受到摩爾定律的支配,目前,芯片都是由硅為基礎,在上面刻蝕電路,但是,理論研究表明,當芯片制程達到1nm的時候,量子隧穿效應,就是電子不受控制,所以這是人們很擔心的問題,1nm后怎么辦?芯片上有無數個晶體管,他們是芯片的核心,也就說,目前的技術是要把晶體管做的越來越小,這樣,芯片上能容納的晶體管就很多,芯片的性能就隨之增加。而目前最小的是1 nm柵極長度的二硫
  • 關鍵字: 1nm  量子隧穿效應  
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量子隧穿效應介紹

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