由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時也減少了工程成本和工作量。這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實現在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長使用壽命的設計。此外，隨著額定溫度的
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