- 基于0.18 μm雙極CMOS-DMOS（BCD）工藝，研究并實現了一種陽極和陰極兩側均加入硅化物阻擋層（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高壓靜電放電保護（ESD）。利用二維器件仿真平臺和傳輸線脈沖測試系統（TLP），預測和驗證了SAB層對可控硅性能的影響。測量結果表明，在不增加器件面積的情況下，通過增加SAB層，器件的維持電壓（Vh）可以從3.03 V提高到15.03 V。與傳統SCR器件相比，帶有SAB層的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的維持電壓。
- 關鍵字：
可控硅（SCR） 硅化物阻擋層（SAB） 仿真 傳輸線脈沖測試系統（TLP） 維持電壓（Vh） 202109
- 非對稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環結構之后，為使I-V特性曲線對稱而設計的非對稱結構，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設計維持電壓高的HHVADDSCR。經TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
- 關鍵字：
202107 非對稱可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應
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