- 摘 要：為了分析功率MOSFET關斷特性，本文基于結電容的概念探討了功率MOSFET關斷過程的機理并推導
了數學模型，表明了MOSFET關斷過程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模
型，仿真結果對數學模型進行了驗證；設計了雙脈沖實驗，實驗結果與模型和仿真結果一致。研究結論有助于
器件設計優化和應用改善。關鍵詞：關斷特性；結電容；Spice模型；雙脈沖1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect
tran
- 關鍵字：
202210 關斷特性 結電容 Spice模型 雙脈沖
- 隨著人們對電源及電子設備的功能要求越來越高，為各種設備提供電源時需要進行的改動就越來越多。IGBT就是其中一種，然而在實際的設計過程中，很多朋友
- 關鍵字：
IGBT 結電容 電源
結電容介紹
您好，目前還沒有人創建詞條結電容!
歡迎您創建該詞條，闡述對結電容的理解，并與今后在此搜索結電容的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
