結(jié)型場效應(yīng)晶體管文章進(jìn)入結(jié)型場效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)

垂直GaN JFET的動(dòng)態(tài)性能

美國弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動(dòng)態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)表征。研究人員研究了額定電壓高達(dá)1200V（1.2kV）的NexGen結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）器件。動(dòng)態(tài)?RON描述了開關(guān)晶體管的電阻相對于穩(wěn)定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團(tuán)隊(duì)評論道：“這個(gè)問題可能會導(dǎo)致器件的導(dǎo)通損耗增加，并縮短器件在應(yīng)用中的壽命。”研究人員將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
關(guān)鍵字：氮化鎵結(jié)型場效應(yīng)晶體管

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結(jié)型場效應(yīng)晶體管介紹

結(jié)型場效應(yīng)晶體管利用場效應(yīng)原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應(yīng)就是改變外加垂直于半導(dǎo)體表面上電場的方向或大小，以控制半導(dǎo)體導(dǎo)電層（溝道）中的多數(shù)載流子的密度或類型。這種晶體管的工作原理與雙極型晶體管不同，它是由電壓調(diào)制溝道中的電流，其工作電流是由半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子輸運(yùn)，少數(shù)載流子實(shí)際上沒有作用。這類只有一種極性載流子參加導(dǎo)電的晶體管又稱單極晶體管。　　 1925～1926年美國的J.E.里林 [ 查看詳細(xì) ]

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