- 搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導通，開始流過電流，同時CE電壓下降。CE電壓下降過程中，門極電壓不再上升，而是維持在一定的電壓平臺上，稱為米勒平臺。在這期間，CE電壓完全降至0V。隨后GE電壓繼續上
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英飛凌 米勒電容 米勒效應
- 本文主要分析了功率MOSFET的輸出電容和米勒電容的定義以及他們非線性特性的表現形態，探討了影響這二個電容的相關因素，闡述了耗盡層電荷濃度非線性變化以及耗盡層厚度增加輸出電容和米勒電容的非線性特性的原因。
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功率MOSFET 輸出電容 米勒電容 非線性
- 當IGBT在開關時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應在單電源門極驅動的應用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這是一個潛在的風險(如圖1)。
圖1：下管IGBT因為寄生米勒電容而引起導通 寄生米勒電容引起的導通 在半橋拓撲中，當上管IGBT(S1)正在導通， 產生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經S
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米勒電容 IGBT
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