- 碳化硅（SiC）技術已超越傳統的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應用，因為它具有大功率系統的主要熱和電氣優勢。這些優勢包括更高的開關頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統升級和系統設計的新選擇。碳化硅（SiC）技術已超越傳統的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應用，因為它具有大功率系統的主要熱和電氣優勢。這些優勢包括更高的開關頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可
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碳化硅信號
碳化硅信號介紹
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