- 美國的研究人員相信，他們已經克服了發展硅半導體功能替代物的一個主要障礙。
硅半導體在現代電子產品中無處不在，但這些設備有局限性，其中包括在高溫下未能正常運作。
一個有前途的替代物是由鋁和氮形成氮化鋁(AlN)半導體，比他的硅對應物更強更穩定，可在高溫下運行，壓電的，對可見光透明，可以發出可見光。
生產AIN層的傳統工藝運行溫度高達1150℃，并對層厚控制有限。這個新的技術聲稱提供了一種方法來生產原子尺寸厚度的高質量的氮化鋁(AlN)層，僅用其他方法溫度的一半。
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硅半導體 晶體
- 富士通與富士通研究所瞄準使用硅半導體的毫米波收發器用途，開發出了低噪聲信號生成電路。此次開發出該電路后，使用硅半導體來實現車載雷達等毫米波無線通信終端的實用化便有了眉目。
此前，用來收發毫米波信號的高頻IC一直使用化合物半導體(圖1)。雖然業界十分期待通過使用硅半導體來實現信號收發電路與信號處理電路等的一體化、高功能化和量產化，但硅半導體的噪聲很大，導致實用化滯后。
毫米波收發用IC要集成用來生成毫米波信號的信號生成電路。以前，該信號生成電路對由毫米波振蕩器信號分頻出來的低頻比較信號和基準
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硅半導體 無線通信
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