- / 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型,Cauer模型和Foster模型,這一篇以二極管的浪涌電流為例,講清瞬態熱阻曲線的應用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導體器件的一個重要參數。在被動整流應用中,由于電網的頻率是50Hz,因此10ms的二極管電流
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英飛凌 功率器件 瞬態熱阻
瞬態熱阻介紹
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