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相變存儲 文章 進入相變存儲技術社區

Science發表西安交大合作研究成果：突破相變存儲速度極限

  • 　　11月10日，美國Science雜志以First Release的形式發表了西安交通大學與上海微系統與信息技術研究所的合作論文——Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing(降低晶體成核隨機性以實現亞納秒數據存儲)，該工作從接收到在線發表僅10天。 　　處于數字全球化的今天，爆炸式增長的信息對數據的存儲與傳輸提出了極大的挑戰，而且目前商用計算體
  • 關鍵字： 相變存儲  

國產55納米相變存儲技術發布

  • 　　日前，寧波時代全芯科技有限公司正式發布中國自主研發的第一款具有自主知識產權的55納米相變存儲技術，為中國半導體存儲廠商在云計算和大數據時代開辟了一條自主創“芯”之路，結束了中國芯片存儲技術長期依靠進口，徹底打破了中國的“無芯”時代。發布會現場，寧波市政府相關部門的領導、寧波鄞州工業園區的領導、行業專家和教授以及客戶代表、媒體記者約200人見證了55納米相變存儲技術的發布。 　　從靜態隨機存儲技術(SRAM)到動態隨機存儲技術(DRAM)再到當前熱門
  • 關鍵字： 55納米  相變存儲  

中國芯片告別進口 相變存儲技術問世

  • 　　11月28日，寧波時代全芯科技有限公司發布了自主研發的55納米相變存儲芯片，成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業。業內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。相變存儲是第四代存儲技術，比現有傳統芯片執行速度快1000倍，耐久性高1萬倍。 　　支撐未來30年的存儲技術 　　以“芯時代、存世界”為主題的“2013寧波時代全芯科技產品發布會”11月28日在寧波舉行，寧波時代全
  • 關鍵字： 芯片  相變存儲  

我國已掌握新一代存儲芯片核心研發技術

  • 　　11月28日，寧波時代全芯科技有限公司在寧波現場發布了自主研發的55納米相變存儲芯片。這一成果的發布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業，業內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。 　　目前靜態隨機存儲技術、動態隨機存儲技術和快閃存儲技術應用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術——相變存儲技術，由于是利用材料相變產生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠遠大于目前的高端硬盤。與現
  • 關鍵字： 存儲芯片  相變存儲  

三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲顆粒

  • 　　相變存儲技術看來終于要走出實驗室，走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產品。 　　相變存儲屬于非易失性存儲技術，可以像閃存那樣在關機后繼續保持數據。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產品中加入該存儲顆粒。由于相變存儲技術的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數碼設備的存儲速度。 　　三星表示，多芯片封裝PRA
  • 關鍵字： Numonyx  相變存儲  NOR  

IEEE：NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限

  • 　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態和非結晶態相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本
  • 關鍵字： NAND  閃存  相變存儲  
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相變存儲介紹

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