- 3D-IC設計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進信號的完整性。事實上，當前傳統的TSV生產供應鏈已落后于ITRS對其的預測。以干法和濕
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電接枝 技術簡介
- 3D-IC設計者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設計出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進信號的完整性。事實上，當前傳統的TSV生產供應鏈已落后于ITRS對其的預測。以干法和濕
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TSV 電接枝 助力
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