- 針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對象，對功率模塊在不同工作頻率下的損耗進行了理論計算、PLECS仿真和試驗驗證對比分析。PLECS仿真和試驗驗證的結果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關頻率下工作的熱損耗趨勢。從文中可以看出，使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
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202301 Boost變換器 SiC模塊 IGBT模塊 熱損耗
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紅外熱像儀 冶金行業 熱損耗
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