在模擬電子技術教學內容方面，實際模擬電子線路從電子管電路、晶體管電路、集成電路已經發生了巨大變化。從晶體管問世到現在也就60年，但大規模及超過大規模集成電路已經幾乎取代了分立的晶體管電路。模數混合的片上系統電路也管理使用，因此模擬電子技術的教學內容一直是一個熱門話題。周老師剛才講的東西，實際我們學校也同樣存在。
模電比較難教，也比較難學。我們學校，模電一直被學生稱為“魔電”。模擬電路的分析設計，一直是學生所厭惡的。學生重數字電路，輕模擬電路，喜歡軟件害怕硬件的現象普遍存在。因此，
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模擬電子 教學
反饋的基本概念
1 ．概述
反饋定義為：將放大電路輸出信號（電壓或電流）的部分或全部通過一定的電路（反饋電路）回送到輸入回路的反送過程。一個反饋放大器的框圖如圖 6.1 所示。
反饋放大電路的框圖
2 ．反饋放大器分類
(1) 根據輸出端取樣對象分類 可分為電壓反饋和電流反饋兩類。電壓反饋的反饋信號取自輸出電壓，反饋量與輸出電壓成正比。如圖 6.2 （ a ）和（ b ）。電流反饋的反饋信號取自輸出電流，反饋量與輸出電流成正比。如圖 8.2 （ c ）和（ d ）。
(2) 根據與
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反饋 模擬電子 電子技術 模擬IC
半導體基礎技術小結
1. 半導體有光敏、熱敏和摻雜特性。
２.PN 結具有單向導電性， P ＋ N － 導通， P － N ＋ 截止。
3. 二極管的內部就是一個 PN 結，正向偏置導通，反向偏置截止。
4. 三極管內部有二個 PN 結，三極管放大的實質是以很小的基極電流控制較大的集電極電流。發射結正偏，集電結反偏，三極管工作在放大狀態，在放大狀態時 I C ＝ β I B I E ＝ I B ＋ I C ＝（ 1 ＋ β ） I B
5. 場效應管是以很小的柵源電壓控制較大的漏極電流。
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半導體 模擬電子 電子技術
ＰＮ結的形成
（1）當Ｐ型半導體和Ｎ型半導體結合在一起時，由于交界面處存在 載流子濃度的差異 ，這樣電子和空穴都要 從濃度高的地方向濃度低的地方擴散 。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴散的結果就使Ｐ區和Ｎ區中原來的電中性條件破壞了。Ｐ區一側因失去空穴而留下不能移動的負離子，Ｎ區一側因失去電子而留下不能移動的正離子。這些不能移動的帶電粒子通常稱為 空間電荷 ，它們集中在Ｐ區和Ｎ區交界面附近，形成了一個很薄的空間電荷區，這就是我們所說的 ＰＮ結 。
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PN 結 模擬電子 電子技術 模擬IC
1 三極管的結構和分類
三極管在模擬電子電路中其主要作用是構成放大電路。
結構： 三個區、 二個結、 三個電極。
分類：三極管如按結構可分為 NPN 型和 PNP 型；按所用的半導體材料可分為硅管和鍺管；按功率可分為大、中、小功率管；按頻率特性可分為低頻管和高頻管等。
2 電流分配和放大作用
三極管放大條件：發射結正偏，集電結反偏。
1. 發射區發射電子形成 I E ＝ I B ＋ I C
2. 基區復合電子形成 I B
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絕緣柵場效應管的結構和符號
三極管稱電流控制元件；場效應管稱電壓控制元件。 場效應管具有輸入電阻高（最高可達 10 15 Ω）、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強、耗電省等優點。
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半導體基礎知識
一、物體按導電能力分類
導體： 導電能力強，如金屬。
絕緣體： 導電能力很差，如橡膠、陶瓷。
半導體： 導電能力介于導體與絕緣體之間。
二、半導體的原子結構
現代半導體材料主要使用硅和鍺（S i：14；G e：32），其外層 均有四個價電子，而原子核和除價電子外的內層電子組成慣性核。 其簡化模型為：
三、半導體晶體結構
共價鍵制造半導體器件的硅和鍺是單晶材料，具有金剛石結構，每個原 子和相鄰四個原子結合，每個原子的外層四個價電子分別與相鄰的四個 原子的價電
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1. 電路的組成
2. 各元件作用
(1) 三極管 V ：實現電流放大。
(2) 集電極直流電源 U CC : 確保 三極管工作在放大狀態。
(3) 集電極負載電阻 R C : 將三極管集電極電流的變化轉變為電壓變化，以實現電壓放大。
(4) 基極偏置電阻 R B : 為放大電路提供靜態工作點。
(5) 耦合電容 C1 和 C2 : 隔直流通交流。
3. 工作原理
(1) ui 直接加在三
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共發射極 放大電路 模擬電子 模擬IC
模擬電子介紹
信號在時間和數值上都是連續變化的信號稱為模擬信號.模擬信號是指用連續變化的物理量表示的信息，其信號的幅度，或頻率，或相位隨時間作連續變化，如目前廣播的聲音信號，或圖像信號等。模擬電子主要內容包含有:常用半導體器,基本放大電路,多級放大電路,集成運算放大電路,放大電路的頻率響應,放大電路中的反饋,信號的運算和處理,波形的發生和信號的轉換,功率放大電路,直流電源,模擬電子電路讀圖這些內容.如果需要詳細 [
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