- 利用50-40nm的工藝制程節點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。
2008年國際固態電路會議的論文和2007
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