- 據科技日報報道稱，日本沖繩科學技術大學院大學（OIST）官網最新報告，該校設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業的標準界限。基于此設計的光刻設備可采用更小的EUV光源，其功耗還不到傳統EUV光刻機的十分之一，從而降低成本并大幅提高機器的可靠性和使用壽命。在傳統光學系統中，例如照相機、望遠鏡和傳統的紫外線光刻技術，光圈和透鏡等光學元件以軸對稱方式排列在一條直線上。這種方法并不適用于EUV射線，因為它們的波長極短，大多數會被材料吸收。因此，EUV光使用月牙形鏡子引導。但這又會導致光線偏離中心軸
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極紫外光刻 半導體制造 標準界限
- 由于COVID-19新冠病毒在全球的蔓延,多個行業的生產、消費都受到影響了,半導體行業也不例外。ASML公司今天宣布下調Q1季度營收預期,同時暫停股票回購,不過他們沒公布EUV光刻機出貨量是否受影響了。今年1月份ASML公司發布了2019年Q4及全年財報,2019年交付了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。展望2020年Q1季度,ASML之前預計營收31到33億歐元之間,毛利率46%到47%之間,研發費用約為5.5億歐
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阿斯麥 光刻機 極紫外光刻
- 在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創造了新紀錄。據報道,ASML公司正在研發新一代EUV光刻機,預計在2022年開始出貨。根據ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮
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光刻機 極紫外光刻
- 在EUV光刻機方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機,去年出貨26臺,創造了新紀錄。據報道,ASML公司正在研發新一代EUV光刻機,預計在2022年開始出貨。根據ASML之前的報告,去年他們出貨了26臺EUV光刻機,預計2020年交付35臺EUV光刻機,2021年則會達到45臺到50臺的交付量,是2019年的兩倍左右。目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C采用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮
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光刻機 極紫外光刻
- 在半導體工藝進入10nm節點之后，制造越來越困難，其中最復雜的一步——光刻需要用到EUV光刻機了，而后者目前只有荷蘭ASML阿斯麥公司才能供應。中芯國際去年也訂購了一臺EUV光刻機，日前該公司表示與ASML之間已解決光刻機的問題，EUV技術研發步入正軌。前不久有消息稱ASML停止對中芯國際供應EUV光刻機，隨后ASML公司表示不是停供，而是延期，主要是在準備該國政府的出口申請文本工作。中芯國際董事長周子學日前在韓國訪問，韓媒報道稱周子學表態已經解決了與ASML之間就光刻機供應存在的問題，強調中芯國際在先進
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光刻機 極紫外光刻
- 掌握全球唯一EUV光刻機研發、生產的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發布了2019年Q2季度財報，當季營收25.68億歐元，其中凈設備銷售額18.51億歐元，總計出貨了41臺光刻機，其中EUV光刻機7臺。
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阿斯麥 極紫外光刻 EUV
- 新式半導體光刻技術中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過其實現難度也相當高，從上世紀八十年代 ...
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光刻膠 極紫外光刻
極紫外光刻介紹
目錄
1 定義
2 概述
3 背景
4 展望
定義
極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的軟x 射線。
概述
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能 [
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