美國加州大學圣地亞哥分校的一個研究團隊開發出一款基于納米結構的、不依賴半導體傳導的光控微電子器件,在低電壓和低功率激光激發的條件下可將電導率比現有半導體器件提高近10倍。這一成果發表在11月4日的《自然·通訊》雜志上。
傳統的半導體器件受到材料本身的限制,在頻率、功耗等方面存在極限,而利用自由電子替代半導體材料通常需要高電壓、大功率激光或高溫激發。該團隊在硅片上用金加工出一種類似蘑菇形狀的納米結構(稱為“超材料”結構),在10伏以下的直流電壓和低功率紅外激光
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微電子器件 半導體
近日,加利福尼亞大學圣地亞哥分校(University of California San Diego)的工程師利用超材料(metamaterials)研發出世界上首個無半導體的光控微電子器件,該電子器件僅在低電壓、低功率激光的激發下,導電性能相比傳統增加10倍。該技術有利于制造更快、更高功率的微電子器件,并有望制造更高效的太陽能電池板。
該研究發表于11月4日的國際期刊《Nature Communications》。
無半導體電子器件。圖片來源:UCSan Diego Applied
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微電子器件
復旦大學微電子學院副院長、國家02重大專項總體組專家張衛教授領銜的科研團隊研制出一種新型的微電子器件——半浮柵晶體管(SFGT),可讓數據擦寫更容易、速度更快,操作電壓更低,為設計低功耗芯片奠定了基礎。相關研究成果刊登于8月8日出版的《科學》雜志上。這是我國科學家在該雜志上發表的第一篇微電子器件方面的論文。
據介紹,張衛教授團隊長期從事集成電路工藝和半導體器件的研究。這一成果被業內學者稱為將可能改變近年來IT業界所擔憂的問題:技術的發展將使摩爾定律達到極限無法再突破。這也
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微電子器件 半浮柵晶體管
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