- 陳玉翔（電子科技大學電子科學與工程學院??四川??成都??610054） 摘?要：隧道場效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60 mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關態泄漏電流。本文提出了一種異質結縱向隧穿場效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進后的器件開態電流由36 μA/μm增加到92
- 關鍵字：
202006 隧穿場效應晶體管 帶帶隧穿 異質結 開態電流
- 隧道場效應晶體管（TFET）由于其獨特的帶帶隧穿原理而成為超低功耗設計中有力的候選者。傳統MOSFET在室溫下的亞閾值擺幅因載流子漂移擴散工作原理而高于60mV/dec；而基于量子隧道效應的隧穿場效應晶體管，其亞閾值斜率可以突破MOSFET器件的亞閾值擺幅理論極限，并且具有極低的關態泄漏電流。本文提出了一種異質結縱向隧穿場效應晶體管，用以改善器件導通電流和亞閾值特性，改進后的器件開態電流由36μA/μm增加到92μA/μm，平均亞閾值擺幅從32mV/dec降低到15mV/dec。
- 關鍵字：
隧穿場效應晶體管 帶帶隧穿 異質結 開態電流
- 最近，中科院半導體所超晶格國家重點實驗室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中，與美國勞倫斯伯克利國家實驗室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導體異質結的基礎研究中取得新進展。相關成果發表在2013年9月30日美國化學學會主辦的《納米快報》(NanoLetters)上。
半導體異質結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數、吸收系數等物理參數，異質結將表現出許多不同于單一半導體材料的性質。在傳統半導體
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半導體 異質結
異質結介紹
異質結【heterojunction】 兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域。按照兩種材料的導電類型不同，異質結可分為同型異質結（P-p結或N-n結）和異型異質(P-n或p-N)結，多層異質結稱為異質結構。通常形成異質結的條件是：兩種半導體有相似的晶體結構、相近的原子間距和熱膨脹系數。利用界面合金、外延生長、真空淀積等技術，都可以制造異質結。異質結常具有兩種半導體各自的PN結都不能達到的優良 [
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