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開關特性 文章 進入開關特性技術社區

雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
  • 關鍵字： 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  

柵極環路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

  • IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環路電感影響分析。（點擊查看直流鏈路環路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來分析S
  • 關鍵字： IGBT  SiC  開關特性  

淺析柵極電阻RG對IGBT開關特性的性能影響

  • 1 前言　　用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on
  • 關鍵字： IGBT  柵極電阻  開關特性  性能影響    

一種單級式半橋功率因數校正電路

柵極電阻RG對IGBT開關特性的性能影響分析

  • 　1 前言　　用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
  • 關鍵字： IGBT  柵極電阻  開關特性  分析    

D類MOSFT在發射機射頻功放中的應用

  • O 引言
    隨著微電子技術的發展，MOS管在電子與通信工程領域的應用越來越廣泛。特別是在大功率全固態廣播發射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態，從而提高整機效
  • 關鍵字： 應用  功放  射頻  發射機  MOSFT  MOSFET  開關特性  射頻功放  調幅發射機  
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