SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！

• 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計(jì)指南。本文將繼續(xù)講解并聯(lián)的挑戰(zhàn)。并聯(lián)的挑戰(zhàn)在前文我們介紹并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)如靜態(tài)電流失配、動(dòng)態(tài)電流失配，接下來(lái)將繼續(xù)講解其他挑戰(zhàn)。?并聯(lián)振蕩對(duì)于高增益、快速開(kāi)關(guān)器件來(lái)說(shuō)，并聯(lián)振蕩可能是一個(gè)問(wèn)題。由于 SiC JFET cascode（簡(jiǎn)稱cascode）內(nèi)部有兩個(gè)有源器件：一個(gè)低
• 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì)指南  并聯(lián)振蕩  柵極驅(qū)動(dòng)器