- 新年伊始，基本半導體正式發布國內首款擁有自主知識產權的工業級碳化硅MOSFET，該產品各項性能達到國際領先水平，其中短路耐受時間更是長達6μs。碳化硅MOSFET的發布，標志著基本半導體在第三代半導體研發領域取得重大進展，自主研發的碳化硅功率器件繼續領跑全國。 近年來，基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產業發展進入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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工業級碳化硅MOSFET 第三代半導體 碳化硅MOSFET
工業級碳化硅mosfet介紹
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