10 月 31 日，車用芯片大廠安森美半導體（Onsemi）宣布裁員近 900 人，這一消息在業界引起了波瀾。在全球市場一片低迷的大環境下，汽車及相關芯片市場還算是不錯的，安森美的大規模裁員來的有些突然。據悉，安森美今年已經解雇了 1360 名員工，預計營收為 19.5 億-20.5 億美元，低于預期的 21.8 億美元，預計第四季度業績也是不溫不火。安森美首席執行官 Hassane El-Khoury 說：「我們開始看到一些疲軟的情況，歐洲一級客戶正在處理庫存，并且由于高利率，汽車需求的風險不斷增加?！?/li>
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汽車芯片 安森美
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本系列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。分立式 SiC 柵極驅動為了補償低增益并實現高效、高
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安森美 柵級驅動電路
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)?將于11月14日、16日及21日分別于深圳、蘇州、上海舉行“安森美可再生能源與電動汽車應用技術大會”。以“創領綠色基建與智慧出行‘芯’時代”為主題，本輪大會將圍繞電動汽車電氣化、智能化、光儲充一體化系統構建等話題，由安森美專家團隊與產業資深人士領銜，與廣大工程師探討其面臨的相關技術應用難題并為其提供解決方案。在“雙碳”目標與當前市場及能源法規的驅動下，中國新能源產業持續擴張。持續上漲的電動汽車市場，推動著光儲充一體化發展再提速。5G通信、人工
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安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)公布其2023財年第3季度業績，亮點如下：■ 第3季度收入為 21.808 億美元；公認會計原則(以下簡稱“GAAP”) 和 非GAAP 毛利率為 47.3%■ GAAP 營業利潤率和 非GAAP 營業利潤率分別為 31.5%和32.6%■ GAAP 每股攤薄收益為 1.29 美元，非GAAP 每股攤薄收益為 1.39 美元■ 汽車業務收入創紀錄，達 12 億美元，同比增長 33%■ 工業業務收入創紀錄，達 6.16 億美元，同比略有增長安森美總裁兼首席執
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一些新出現的應用使地球的未來充滿了激動人心的可能性，但同時也是人類所面臨的最大技術挑戰之一。例如，雖然太陽能可以提供無限的能源，但要想成功商業化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時不增加成本或尺寸。在汽車領域，目前電動汽車 (EV) 已經非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時間和續航里程有限等問題，電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰包括如何提高電氣效率、優化動力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優勢硅
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安森美 碳化硅
安森美 (onsemi) 宣布其Hyperlux? 圖像傳感器系列已集成到瑞薩 (Renesas) R-Car V4x 平臺，用于增強半自動駕駛的視覺系統，進而提高汽車的安全性。兩家公司以安全系統和先進駕駛輔助系統 (ADAS) 為戰略重點，為汽車主機廠 (OEM) 和一級供應商提供領先的傳感器性能和先進的片上系統 (SoC)。Hyperlux 圖像傳感器擁有 2.1 μm 像素尺寸、業界領先的 150dB 超高動態范圍 (HDR) 和減少 LED 閃爍 (LFM) 功能，耐受汽車應用高溫，具備
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安森美 圖形傳感器 瑞薩
安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經完工，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠SiC半導體產量預計將增至每年100萬顆。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產200mm晶圓。為了支持SiC產能的提升，安森美計劃在未來三年內雇傭多達1000名當地員工來填補大部分高
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安森美 韓國 碳化硅
安森美(onsemi)近日宣布其Hyperlux? 圖像傳感器系列已集成到瑞薩（Renesas） R-Car V4x 平臺，用于增強半自動駕駛的視覺系統，進而提高汽車的安全性。兩家公司以安全系統和先進駕駛輔助系統 (ADAS) 為戰略重點，為汽車主機廠（OEM）和一級供應商提供領先的傳感器性能和先進的片上系統 (SoC)。Hyperlux 圖像傳感器擁有 2.1 μm 像素尺寸、業界領先的150dB 超高動態范圍 (HDR) 和 減少LED 閃爍(LFM) 功能，耐受汽車應用高溫，具備汽車應用所需的關鍵要
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安森美 瑞薩 半自動駕駛
10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產線及高科技公用設施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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安森美 碳化硅
安森美（onsemi）近日宣布，其位于韓國富川的先進碳化硅?(SiC)?超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片?200 mm SiC?晶圓。為了支持?SiC?產能的提升，安森美計劃在未來三年內雇傭多達?1,000?名當地員工來填補大部分高技術職位；相比目前的約?2,300?名員工，人數將增加?40%?以上。碳化硅器件是電動汽車?(EV)
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IT之家 10 月 18 日消息，安森美半導體（Onsemi）近日針對家庭、辦公室場景下的智能門鈴、安防攝像頭、AR / VR 頭顯、機器視覺和視頻會議等應用，推出了名為 Hyperlux LP 的低功耗圖像傳感器系列。Hyperlux LP 低功耗圖像傳感器像素尺寸為 1.4 μm，有 500 萬、830 萬和 2000 萬像素三種規格，在開啟低功耗模式之后，續航最高可以提升 40%。安森美表示 Hyperlux LP 采用創新硅設計和像素架構，無論是可見光，還是近紅外光下，都能提供
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1 SiC的應用優勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統發展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業群先進電源
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效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰性。本文介紹了如何通過修改傳統 PFC 拓撲結構來更好地實現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結構還有一種提高
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如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發揮所長，然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。焊接機許多現代化焊接機使用逆變器，而非焊接變壓器，因為直流輸出電流可以提高焊接工藝的控制精度。更多優勢還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機框圖焊接逆變器常用的開關拓撲結構包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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安森美 IGBT
安森美（onsemi）宣布推出適用于工業和商業相機的Hyperlux LP圖像傳感器系列，場景覆蓋智能門禁、安防攝像頭、增強現實（AR）/虛擬現實（VR）/擴展現實（XR）頭戴裝置、機器視覺和視頻會議等。此傳感器系列基于1.4 μm 像素，提供業界領先的圖像質量和低功耗，同時大幅提高圖像性能，即使在惡劣的照明條件下也能捕獲清晰、生動的圖像。此產品系列還采用堆疊式架構設計，能最大限度地減少產品體積，最小型號小如一粒米，成為受尺寸限制困擾的緊湊型設備的理想選擇?？蛻艨梢愿鶕褂们闆r，選用500萬分辨率的AR0
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安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列，是計算機、通信、消費產品、汽車、醫療、工業和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業務 [
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