- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業予以大力扶持。
眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，它的性能參數將直接決定著電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
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器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
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如何實現LCD平板顯示屏驅動電路的高性能設計是當前手持設備設計工程師面臨的重要挑戰。本文分析了LCD顯示面板的分類和性能特點,介紹了LCD顯示屏設計中關鍵器件LDO和白光LED的選擇要點,以及電荷泵LED驅動電路的
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驅動 電路設計 選擇 器件 顯示屏 LCD LCD
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NCP370是安森美半導體(0N Semiconductor)公司生產的具有過壓、過流保護及反向控制功能的集成雙向保護器件。該器件可以提供高達+28V的正向保護和低至-28 V的負向保護功能，從而提高對便攜設備前端的保護
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原理 應用 NCP370 器件 保護 雙向
- TKScope支持JTAG菊花鏈連接的多器件仿真,多個ARM器件的調試需要將硬件連接成菊花鏈的形式。這樣，只需要一個JTAG接口就能夠對菊花鏈上的任意ARM器件進行仿真調試。而TKScope正支持這種菊花鏈連接的多器件仿真模式。
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器件 仿真 連接 菊花 支持 JTAG TKScope
- 我國20世紀80年代以前的靜止變頻技術由于受到電力電子器件技術的影響，一直處于停滯不前的狀態，各個行業感應加熱用中頻電源基本上使用中頻變頻電機供電。隨著20世紀90年代初電力電子器件的發展，目前國內中頻電
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技術 應用 變頻 靜止 器件 功率 電源
- 介紹鍵盤顯示專用器件HD7279A的性能和使用，該器件是常用鍵盤顯示專用器件INTEL8279的升級換代產品，與ZLG7289或ZLG7290具有類似的功能，但外圍電路更簡單。HD7279A具有串行接口簡單，占用單片機資源少，可同時驅動8位共陰式數碼管．連接64鍵鍵盤等特點。給出與單片機的具體連接電路，控制4位共陰極7段LED的顯示，可管理16鍵鍵盤和軟件流程。
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接口 設計 HD7279A 器件 顯示 專用 鍵盤
- 摘要：介紹具有SPI接口的多功能實時時鐘器件M41T94，它具有精度高、功耗低等特點。提出一種M41T94在配網監測終端中的應用設計。結合單片機C8051F340的控制，給出配網監測終端實時時鐘模塊的軟硬件設計。
關鍵詞：實
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監測 終端 應用 配網 M41T94 時鐘 器件 實時
- 太陽能逆變器是整個太陽能發電系統的關鍵組件。它把光伏單元可變的直流電壓輸出轉換為清潔的50Hz或60Hz的正弦電壓源，從而為商用電網或本地電網供電。因為太陽電池板的光電轉換效率可能受到陽光照射的角度、云層
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需求 分析 器件 半導體 發電 系統 太陽能
- 據相關報道，電子制造業3月份開始出現積極現象，但形勢依然嚴峻。工信部統計數據顯示，一季度，電子產品出口交貨值同比下降15.5%，其中3月份下降10.1%，降幅比前兩個月減緩8.9個百分點。電子制造業生產、出口大幅下滑趨勢有所減緩。
統計還顯示，行業經濟效益下滑的趨勢并未扭轉。1-2月，電子行業實現利潤6.8億元，同比下降96.3%。
由以上信息可以看出，電子制造業目前困境仍在，而且要改變現有狀態，電子業該從哪方面下手?
電子制造業困境
由于全球經濟增長速度放緩，市場總體需求萎縮
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電子 器件 平板顯示器
- 摘要：電荷耦合器件是一種發展前景良好的金屬氧化物半導體(MOS)集成電路。該電路廣泛應用于彩色成像、信號處理等相關領域。文介紹一種用CCD32l型電荷藕合器件設計和實現的脈沖雷達視頻積累電路，目的在于探討使用該器
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電荷耦合 器件 雷達視頻 積累
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結構，該方法利用局部SIMOX技術在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結擴散，形成體接觸的側面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結果表明，該結構具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結構可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當的增加si膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。
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SOI 器件
- 通過對DC／DC轉換器低頻噪聲測試技術以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析，發現使用低頻噪聲表征DC／DC轉換器的可靠性是對傳統電參數表征方法的一種有效補充。對DC／DC轉換器輻照損傷與其內部VDMOS器件1/f噪聲相關性進行了研究，討論了引起DC／DC轉換器輻照失效的原因。
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DC 相關性 研究 噪聲 VDMOS 輻照 損傷 器件 轉換器
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