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安全工作區 文章 進入安全工作區技術社區

關于IGBT 安全工作區 你需要了解這兩個關鍵

  • 在 IGBT 的規格書中,可能會看到安全工作區(SOA, Safe Operating Area),例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個安全工作區是指什么?圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區 (圖片來源ROHM)IGBT 的安全工作區(SOA)是使IGBT在不發生自損壞或性能沒有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實際上,不僅需要在安全工作區內使用IGBT,還需對其所在區域實施溫度
  • 關鍵字: IGBT  安全工作區  SOA  

功率MOSFET安全工作區,真的安全嗎?

  • 本文論述了功率MOSFET數據表中安全工作區每條曲線的含義,詳細說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環境溫度、最大允許結溫和功耗計算的安全工作區不能作為實際應用中MOSFET是否安全的標準原因。特別說明了功率MOSFET完全工作在線性區或較長的時間工作在線性區的應用中,必須采用實測的安全工作區理由。
  • 關鍵字: 功率MOSFET  安全工作區  線性區    熱電效應  201903  

MOSFET安全工作區對實現穩固熱插拔應用的意義所在

  • 即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調整容量時,任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源,支持從正在工作的系統中插入或移除電路板,從而避免了出現連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題。控制器 IC 驅動與插入電路板之電源相串聯的功率 MOSFET 開關 (圖 1)。電路板插入后,MOSFE
  • 關鍵字: 安全工作區  MOSFET  LTC4233  熱插拔  熱插拔控制器  

從安全工作區探討IGBT的失效機理

  • 摘要:本文闡述了各安全工作區的物理概念和超安全工作區工作的失效機理。討論了短路持續時間Tsc和柵壓Vg、集電極—發射極導通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關系。 關鍵詞:安全工作區 失效機理  短路電流Tsc 1、  引言   半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(Safe Operating Area簡稱SOA)使用引起的。因此全面了解SOA,并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極—發射極電
  • 關鍵字: 安全工作區  失效機理  短路電流Tsc  電源  
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