數十年來，以太網廣泛應用于工業和計算網絡，但如今，越來越多地部署到汽車應用，取代了控制器局域網絡(CAN)等傳統網絡。汽車以太網提供拓撲靈活性、高帶寬和穩定的通信，能夠滿足原始設備制造商(OEM)從域向區域網絡架構過渡期間的車內數據通信需求。本文首先討論各種汽車以太網標準，然后再考慮它們必須符合的嚴格靜電保護(ESD)和電磁兼容性(EMC)標準。最后介紹 Nexperia（安世半導體）的一系列元件，汽車 OEM 可利用這些元件確保車輛網絡在發生 ESD 事件時得到全面保護。汽車以太網標準2016 年，開放
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近年來，汽車行業正迅速邁入智能化和電動化的新紀元。新能源汽車的銷量與市場滲透率持續攀升。據彭博社預測，2023年，全球新能源汽車的銷量將達到1,410萬輛，其中中國市場將占據大約60%的份額。在汽車向電動化的轉型過程中，盡管 SiC 和 GaN 等第三代半導體材料備受關注，但電動汽車制造商仍對成本持保守態度。目前，成本效益高且性能穩定的硅基 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）繼續在車載電子、電驅動以及電池管理系統中發揮核心作用。去年 MOSFET 的大量缺貨進一步突顯了這一點。然而，要滿足日益增
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11月8日，美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體（Nexperia）宣布，雙方已經達成協議，Vishay將以1.77億美元現金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關業務。紐波特晶圓廠交易需接受英國政府審查，并符合第三方購買權和慣例成交條件，預計將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠是一家200mm半導體晶圓廠，經過汽車認證，主要供應汽車市場。占地28英畝，是英國規模最大的半導體制造廠。Vishay總裁兼首席執行官Joel Smejkal表示
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在英國晶圓廠 Newport Wafer Fab（NWF）收購案按下回退鍵一年后，聞泰科技被迫出售了 NWF 母公司 NEPTUNE 6 LIMITED100% 股權。11 月 8 日晚間，聞泰科技公告，全資子公司 Nexperia B.V.（下稱「安世半導體」）擬轉讓 NEPTUNE 6 LIMITED 的 100% 股權，受讓方為紐交所上市公司 Vishay 的全資子公司 Siliconix，交易金額基礎值為 1.77 億美元（含安世半導體對標的公司的債權）。聞泰科技稱，向 Siliconix 出售
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1? ?SiC和GaN應用及優勢我們對汽車、工業、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本。●? ?可再生能
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為了滿足應用的散熱要求，設計人員需要比較不同半導體封裝類型的熱特性。在本博客中， Nexperia（安世半導體）討論了其焊線封裝和夾片粘合封裝的散熱通道，以便設計人員選擇更合適的封裝。焊線器件中的熱傳導如何實現焊線封裝器件中的主要散熱通道是從結參考點到印刷電路板（PCB）上的焊點，如圖1所示。按照一階近似的簡單算法，次要功耗通道的影響（如圖所示）在熱阻計算中可以忽略不計。焊線器件中的散熱通道夾片粘合器件中的雙熱傳導通道夾片粘合封裝在散熱上與焊線封裝的區別在于，器件結的熱量可以沿兩條不同的通道耗散出去，即通
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本應用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現代半導體 ESD 保護器件的特性。ESD 保護器件的作用是實現穩健的系統，使系統能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）來增強這種耐受性的建議。04 ESD保護器件的SI和影響4.1. PCB 層疊汽車應用最常用的是四層或更多層的印刷電路板（PCB）。大規模生產中的大多數應用通常基于標準的 FR4 PCB 技術。典型 PCB 層疊及尺寸如圖 11 所示。需要注意的是，這種層疊只是一個
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安世半導體 AN90039
本應用筆記介紹適用于 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 的現代半導體 ESD 保護器件的特性。ESD 保護器件的作用是實現穩健的系統，使系統能夠承受破壞性的 ESD 事件并提供更高的EMC性能。本文提供了使用共模扼流圈（CMC）來增強這種耐受性的建議。本應用筆記分為（上）（下）兩部分，您現在看到的是（上）。01 引言目前有幾種以太網解決方案在工業和商業應用中非常流行，但幾十年來，并沒有在汽車領域得到廣泛采用。到 2016 年，汽車行業中共推出了 100BASE-T1 和 1000BASE-
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基礎半導體器件領域的專家，安世半導體今日宣布將再次亮相于2021年11月5日至10日在上海舉辦的第四屆中國國際進口博覽會，介紹安世半導體如何運用邏輯電路、分立器件和MOSFET方面的最新進步推動全世界電子設計的發展。 安世半導體首席執行官張學政表示：“我們非常高興繼2020年首次成功參加第三屆中國國際進口博覽會之后，連續第二年參加此屆盛會。我們將為與會領導和來賓展示安世半導體是如何通過增加產能、創新和運用氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）和IGBT等新技術，推動中國汽車產業的發展，讓世界變得更美
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2020年8月6日晚21：00，伴隨著一聲“謝謝觀看，我們下期再見”，宣告了本次 唯樣聯合功率半導體巨頭Nexperia 舉辦的直播活動圓滿落幕！繼2020年6月，唯樣商城聯合Nexperia（安世半導體）舉辦 “超級品牌周” 活動之后，雙方再度攜手，共同啟動了一場 電子人都聽得懂的功率半導體巨頭“直播秀” ！直播以 《首度公開：全球半導體基礎元器件高產能巨無霸養成記》 為主題，從全球半導體巨無霸Nexperia的前世今生，講到當下備受矚目的 “新基建”的超全市場覆蓋、新一代GaN (氮化鎵) FET解決
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近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。 日前，安世半導體MOS業務集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯技術，利用高壓GaN配合低壓
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奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經是業內公認的低壓、低RDS(on)的領先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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LEDs are widely used across all market segments. Although high power LEDs need complex driver schemes, the vast majority of applications use LEDs with currents below 500 mA and can be driven by linear constant-current LED drivers. These are easy-to-use, r
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6月5日，歷時近一年的聞泰科技收購安世半導體事項獲得證監會審核通過，這是迄今為止中國最大的半導體收購案，也意味著半導體領域的整合再次邁出了關鍵一步，為集中資源優勢進行半導體關鍵領域的突破奠定了基礎。
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聞泰科技 安世半導體 并購
向來低調的安徽省會合肥，近來因一起中國半導體最大跨境并購案在海外聲名鵲起——作為最大單一投資人，聯合國內數十家資本方在競爭中脫穎而出，以27.5億美元一舉收購全球稀缺的優質標的安世半導體。
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安世半導體介紹
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