- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產品。然而，預計未來幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發布了業界首款
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東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
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